4.1.16 源 /漏极注入和退火 要形成NMOS 器件的重掺杂源/漏极，就需要进行砷注入。砷的浓度为1535 10 cm ，注入能量为50KeV。为了演示这一注入过程，我们将再一次使用ATHENA Implant 菜单。在调用出注入菜单以后，具体步骤如下： a. 在Impu rity 栏中将注入杂质从Phosphoru s 改为Arsenic；分别在Dose 和Ex p：中输入值5 和15；在Energy 、Tilt 和Rotation 中分别输入值50、7、30；将Material Ty pe 选为Cry stalline；在Comment 栏中输入Sou rce/Drain Implant；点击 WRITE 键，注入语句将会出现在如下所示的文本窗口中： #Sou rce/Drain Implant implant arsenic dose=5e15 energy =15 cry tal 紧接着源/漏极注入的是一个短暂的退火过程，条件是 1 个大气压，900C，1 分钟，氮气环境。该退火过程可通过Diffu se 菜单实现，步骤如下： b. 在Diffu se 菜单中，将Time 和Tempretu re 的值分别设为1 和900；在Ambient 栏中，点击 Nitrogen；激活 Gas pressu re，并将其值设为1；在Display 栏中点击 Models，然后可用的模式将会列出来；选中Diffu sion模式并选择Fermi项。不要选择Ox idation模式；在Comment栏中添加注释 Sou rce/Drain Annealing 并点击 WRITE 键；下面这些扩散语句将会出现在文本窗口中： #Sou rce/Drain Annealing method Fermi diffu s time=1 temp=900 nitro press=1.00 c. 点击 DECKBUILD 控制栏上的Cont 键以继续进行ATHENA 仿真，并将结构的杂质分布图表示出来，如图 4.39； 图 4.39 源/漏极的注入和退火过程 接下来，我们将会看到退火过程前后Net Doping（净掺杂）的一些变化。操作步骤如下： a. 在源/漏极退火后结构的TONYPLOT 中，依次点击 File 和Load Structure… 菜单项； b. 为了加载在implant arsenic dose=5e15 energy =50 cry tal 一步中产生的历史文件（history 12.str），在filename 栏中键入.history 12.str；依次点击Load、Ov erlay 项，如图 4.40； 图 4.40 加载注入步骤的结构文件并覆盖 c. 前述的注入结构（.history 12.str）将会覆盖至退火结构（.history 13.str）如图 4.41 所示。注意到图的副标题为Data from mu ltiple files； 图 4.41 覆盖结构 d. 在两个结构图相互覆盖以后，依次选择 TONYPLOT 中的Tools 和 Cutline… 菜单项并显示图例；Cu tline ...
