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模拟电子技术模拟电子技术考试（包含填空，单选，判断，简答题）基本信息：［矩阵文本题］*1.____________________________________________在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V；锗二极管的门槛电压约为—V,导通后在较大电流下的正向压降约为___V。［填空题］空 1 答案：0.5V空 2 答案：07空 3 答案：0.1V空 4 答案：0.2V2. 二极管的正向电阻；反向电阻。［填空题］空 1 答案：小空 2 答案：大3._______________________________二极管的最主要特性是°PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层___。［填空题］空 1 答案：单向导电性空 2 答案：0.5空 2 答案：大于空 3 答案：变窄4._________________________________二极管最主要的电特性是，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个。［填空题］空 1 答案：单向导电性空 2 答案：电阻5.电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为电子技术。［填空题］空 1 答案：模拟6. PN 结反向偏置时，PN 结的内电场。PN 具有特性。［填空题］空 1 答案：增强空 2 答案：单向导电7. 硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为伏；其门坎电压 Vth 约为伏。［填空题］空 1 答案：0.7空 2 答案：最大整流电流8.______________________________________________二极管正向偏置时，其正向导通电流由载流子的运动形成。［填空题］空 1 答案：多数空 2 答案：扩散9. P 型半导体的多子为 N 型半导体的多子为本征半导体的载流子为___。［填空题］空 1 答案：空穴空 2 答案：电子空 3 答案：电子-空穴对10. 因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为半导体和半导体两大类。［填空题］空 1 答案：P空 2 答案：N11. 二极管的最主要特性是，它的两个主要参数是反映正向特性的和反映反向特性的___。［填空题］空 2 答案：最大整流电流空 1 答案：单向导电性空 3 答案：反向击穿电压12•在常温下，硅二极管的开启电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V。［填空题］空 1 答案：0.7空 2 答案：0.513. 频率响应是指在输入正弦信号的情况下，。［填空题］空 1 答案：输出随频率连续变化的稳态响应14. N 型半导体中的多数载流子是，少数载流子...