1半导体二极管自我检测题一．选择和填空1．纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体，掺入杂质后称杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是电子。2．在本征半导体中，空穴浓度C电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度B电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度A电子浓度。（A．大于，B．小于，C．等于）3.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于C，而少数载流子的浓度与A关系十分密切。（A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度）4.当PN结外加正向电压时，扩散电流A漂移电流，耗尽层E；当PN结外加反向电压时，扩散电流B漂移电流，耗尽层D。（A．大于，B．小于，C．等于，D．变宽，E．变窄，F不变）5．二极管实际就是一个PN结，PN结具有单向导电性，即处于正向偏置时，处于导通状态；反向偏置时，处于截止状态。6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。（A．0.1～0.3V，B．0.6～0.8V，C．小于，D．大于）7.已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为T1时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为0.5伏，反向击穿电压为160伏，反向电流为10-6安培。温度T1小于25℃。（大于、小于、等于）图选择题78．PN结的特性方程是。普通二极管工作在特性曲线的正向区；稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）1．N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。（×）2．在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。（√）3．P型半导体带正电，N型半导体带负电。（×）4．PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（√）5．由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。（×）6．PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。（×）7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√），它不允许工作在正向导通状态（×）。习题1.1图题1.1各电路中，，忽略D的导通压降和死区电压，画出各电路相应的输出电压波形。图题1.1解：（a）图中，vi>0时，二极管截止，vo=0；vi<0时，二极管导通，vo=vi。（b）图中，二极管导通，vo=vi+10。（c）图中，二极管截止，vo=0。1.2求图题1.2所示电路中流过二极管的电流ID和A点对地电压VA。设二极管的正向导通电压为0.7V。图题1.2解：（a）（b）得1.33电路如图题1.3所示，已知D1为锗二极管，其死区电压Vth＝0.2V，正向导通压降为0.3V；D2为硅二极管，其死区电压为Vth＝0.5V，正向导通压降为0.7V。求流过D1、D2的电流I1和I2。图题1.3解：由于D1的死区电压小于D2的死区电压，应该D1先导通。设D1通、D2截止，此时D2两端电压＝I1×100＋0.3＝0.45V小于D2的开启电压，所以D2截止，因此I2＝01.4设二极管的正向导通压降可以忽略不计，反向饱和电流为10μA，反向击穿电压为30V，并假设一旦击穿反向电压保持30V不变，不随反向击穿电流而变化。求图题1.4中各电路的电流I。图题1.4解：（a）图中，两个二极管导通，（b）图中，由于D2反向截止，所以电流为反向饱和电流10μA。（c）图中，D2反向击穿，保持击穿电压30V，所以（d）图中，D1导通，1.5试确定图题1.5（a）和图（b）中的二极管是否导通，并计算电压V1和V2的值（设二极管正向导通电压为0.7V）图题1.5解：（a）图中，D导通，V1＝0.7+V2=8.23V（b）D截止，I=0，V1＝12V，V2＝0V1.6忽略图题1.6中二极管的死区电压，试判断图中二极管是否导通。图题1.6解：先将D断开，计算A、B点对地电压（a），所以D1导通（b），所以D2截止1.7设图题1.7中二极管的导通压降为0.7V，判断图中各二极管是否导通，并求出Vo的值。图题1.7解：先假设所有二极管都截止，看哪个二极管的正偏电压高，先导通。（a）图中，所以，D2先导通，导通后VO＝3-0.7=2.3V，D1截止。（b）图中，所以，D2D4先导通，则，D1截止，VO＝－1.4V1.8设图题1.8中二极管的导通压降为0.7V，求二极管上流过的电流ID的值。图题1.8解：将二极管以外的电路进行戴维宁等效所以1.9已知图题1.9电路中稳压管DZ1...
