三极管经典教程PPT课件CATALOGUE目录•三极管基本原理与结构•三极管类型与特性•三极管偏置电路分析•三极管放大电路分析•三极管功率放大电路•三极管振荡与调制电路•三极管应用实例与选型指南三极管基本原理与结构01截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。三极管工作原理三个区发射区、基区、集电区。三个电极发射极（E）、基极（B）、集电极（C）。三极管基本结构发射结加正向电压，使发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子（自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，形成反向饱和电流，用Icbo表示，其数值很小。发射区向基区发射电子基区中电子的扩散与复合集电区收集电子电流放大原理三极管类型与特性02123由三个半导体组成，包括两个N型和一个P型半导体，中间是P型半导体，两侧是两个N型半导体。NPN型三极管由三个半导体组成，包括两个P型和一个N型半导体，中间是N型半导体，两侧是两个P型半导体。PNP型三极管主要在于电流方向和电压极性的不同。NPN和PNP型三极管的差异NPN与PNP类型输出特性曲线表示集电极电流IC与集-射极间电压UCE之间的关系。根据IB的不同，输出特性可分为截止区、放大区和饱和区。静态特性曲线的意义用于描述三极管在静态工作点附近的性能，为电路设计提供依据。输入特性曲线表示基极电流IB与基-射极间电压UBE之间的关系。当UBE增大时，IB也增大。静态特性曲线截止频率fT表示三极管的高频性能，定义为当β下降到低频时β值的0.707倍时所对应的频率。动态特性参数的意义用于全面评价三极管的性能，为电路设计提供重要依据。极间反向电流包括集电结反向饱和电流ICBO和发射极反向电流IEBO，用于衡量三极管的稳定性。电流放大系数β表示三极管放大能力的大小，定义为集电极电流IC与基极电流IB之比。动态特性参数三极管偏置电路分析03简单的固定偏置电路由电阻和电源组成，提供固定的基极电流。缺点温度稳定性差，容易受到电源电压和温度变化的影响。优点电路简单，易于分析和设计。固定偏置电路通过两个电阻分压，为三极管基极提供稳定的偏置电压。分压式偏置电路原理提高了电路的温度稳定性，减小了电源电压波动对三极管工作状态的影响。优点需要选择合适的电阻值，以保证分压比例的稳定。缺点分压式偏置电路电流源偏置电路原理通过电流源为三极管基极提供稳定的偏置电流。缺点电路相对复杂，设计和调试难度较大。优点具有很高的温度稳定性和电源电压稳定性，适用于高精度、高稳定性的应用场合。电流源偏置电路三极管放大电路分析04原理分析共射放大电路是三极管放大电路中最常...
