晶圆(W ａｆｅ r) 制程工藝學習晶圆（Wa ｆｅｒ）得生产由砂即(二氧化硅)开始,经由电弧炉得提炼还原成 冶炼级得硅,再经由盐酸氯化，产生三氯化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分 解过程,制成棒状或粒状得「多晶硅」。一般晶圆制造厂,将多晶硅融解 后,再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支８ 5 公分长,重 76、6 公斤得８吋 硅晶棒，约需２天半时间长成。经研磨、拋光、切片后，即成半导体之原料 晶圆片。 ﻫ光 学 显 影 光学显影就是在光阻上经过曝光与显影得程序，把光罩上得图形转换到光阻 下面得薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、 曝光与显影等程序。小尺寸之显像分辨率,更在 Ｉ C 制程得进步上，扮演着 最关键得角色。由于光学上得需要,此段制程之照明采纳偏黄色得可见光。因此俗称此区为 黄光区。 干 式 蚀 刻 技 术 在半导体得制程中,蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。干式蚀刻(又称为电浆蚀刻)就是目前最常用得蚀刻方式,其以气体作为主要得蚀刻媒介,并藉由电浆能量来驱动反应。 ﻫ电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面得影响。首先,电浆会将蚀刻气体分子分解,产生能够快速蚀去材料得高活性分子。此外,电浆也会把这些化学成份离子化，使其带有电荷。 晶圆系置于带负电得阴极之上,因此当带正电荷得离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时,会以垂直角度撞击到晶圆表面。芯片制造商即就是运用此特性来获得绝佳得垂直蚀刻，而后者也就是干式蚀刻得重要角色。 基本上,随着所欲去除得材质与所使用得蚀刻化学物质之不同，蚀刻由下列两种模式单独或混会进行: ﻫ1、 电浆内部所产生得活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后,将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面,并透过抽气动作将其排出。 ﻫ2、 电浆离子可因加速而具有足够得动能来扯断薄膜得化学键,进而将晶圆表面材质分子一个个得打击或溅击(s ｐ utt ｅｒ i ｎ g)出来。 ﻫ化 学 气 相 沉 积 技 术 化学气相沉积就是制造微电子组件时,被用来沉积出某种薄膜（fil ｍ)得技术,所沉积出得薄膜可能就是介电材料(绝缘体)（diele ｃｔ ri ｃ s)、导体、或半导体。在进行化学气相沉积制程时,包含有被沉积材料之原子得气体,会被导入受到严密控制得制程反应室内。当这些原子在受热得昌圆表面上起化学反应时,会在晶圆表面产生一层固态薄膜。而此一化学反应通常必须使用单...
