实验二 NMOS 工艺流程模拟及电学参数提取模拟实验一、实验目的1. 熟悉 Silvaco TCAD 的仿真模拟环境；2. 掌握基本的 nmos 工艺流程，以及如何在 TCAD 环境下进行 nmos 工艺流程模 拟；3. 掌握器件参数提前方法，以及不同工艺组合对 nmos 晶体管的阈值电压、薄层 电阻等电学参数的影响；二、实验要求①认真阅读实验内容，独立编写程序，掌握基本的 TCAD 使用；②熟悉 nmos 晶体管的基本工艺流程，和关键工艺参数；③记录 Tonyplot 的仿真结果，并进行相关分析。三、实验内容1.nmos 晶体管整体工艺模拟_设计 nmos 晶体管工艺流程模拟程序，运行得到相应的器件模型参考教程 p57~p60 页程序）NMOS 晶体管的基本工艺流程：a. 衬底硅氧化：在衬底表面产生一层相对较厚的 SiO2 有选择地刻蚀氧化区，暴露出 将来用来生成 MOS 晶体管的硅表面；b. 用一高质量的氧化物薄膜覆盖在 Si 表面，这层氧化物最终将形成 MOS 晶体管的 栅极氧化物；c. 在薄氧化层顶部淀积一层多晶硅。多晶硅可以用做 MOS 晶体管的栅电极材料， 也可以用做硅集成电路中的互连线；d. 成型和刻蚀多晶硅层，形成互连线和 MOS 管的栅极，刻蚀未覆盖多晶硅的那层 薄栅极氧化物，裸露出硅表层，这样就可以在其上面形成源区和漏区了；e. 通过扩散或离子注入的方式，整个硅表层就会被高浓度的杂质所掺杂，形成源区 和漏区；f 用一层 SiO2 绝缘层覆盖整个表面对绝缘的氧化层成型得到源极和漏极的接触孔 ， 表层蒸发覆盖一层铝，形成互连线，将金属层成型并刻蚀，其表层形成了 MOS 管的互 连。NMOS 晶体管工艺流程模拟程序：go athena#line x loc=0 spac=0.1line x loc=0.2 spac=0.6line x loc=0.4 spac=0.6line x loc=0.5 spac=0.01##line y loc=0. spac=0.2line y loc=0.2 spac=0.5line y loc=0.5 spac=0.05line y loc=0.8 spac=0.15#init orientation=1 c.phos=1e14 space.mul=2# pwell formation including masking o? of the nwell#di?us time=30 temp=10 dryo2 press=1. hcl=3#etch oxide thick=0.02##P well Implantimplant boron dose=8e12 energy=1 pears#di?us temp=950 time=1 weto2 hcl=3## N well implant not shown# welldrive starts heredi?us time=50 temp=10 t.rate=4.0 dryo2 press=0.10 hcl=3#di?us time=220 temp=12 nitro press=1#d...
