晶圆清洗摘要：介绍了半导体 IC 制程中存在的各种污染物类型及其对 IC 制程的影响和各种污染物的去除方法, 并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。关键词：湿法清洗；RCA 清洗；稀释化学法；IMEC 清洗法；单晶片清洗；干法清洗中图分类号：TN305.97 文献标识码：B 文章编号：1003-353X(2025)09-0044-0481 前言半导体 IC 制程主要以 20 世纪 50 年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、扩散、外延生长及光刻）为基础逐渐进展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，假如遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。 2 污染物杂质的分类 IC 制程中需要一些有机物和无机物参加完成，另外，制作过程总是在人的参加下在净化室中进行，这样就不可避开的产生各种环境对硅片污染的情况发生。根据污染物发生的情况，大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。2.1 颗粒, @/ e& ~, I/ |# C$ R颗粒主要是一些聚合物、光致抗蚀剂和蚀刻杂质等。通常颗粒粘附在硅表面，影响下一工序几何特征的形成及电特性。根据颗粒与表面的粘附情况分析，其粘附力虽然表现出多样化，但主要是范德瓦尔斯吸引力，所以对颗粒的去除方法主要以物理或化学的方法对颗粒进行底切，逐渐减小颗粒与硅表面的接触面积，最终将其去除。 2.2 有机物 0 ~& @6 d) p" ]- B- R4 |. T! W+ h- W! T+ w# f% L有机物杂质在 IC 制程中以多种形式存在，如人的皮肤油脂、净化室空气、机械油、硅树脂真空脂、光致抗蚀剂、清洗溶剂等。每种污染物对 IC 制程都有不同程度的影响，通常在晶片表面形成有机物薄膜阻止清洗液到达晶片表面。因此有机物的去除常常在清洗工序的第一步进行。 ; x0 ?+ F: t- K' ? 2.3 金属污染物 `* z: C3 S" }5 ^6 [. b0 yIC 电路制造过程中采纳金属互连材料将各个独立的器件连接起来，首先采纳光刻、蚀刻的方法在绝缘层上制作接触窗口，再利用蒸发、溅射或化学汽相沉积（CVD）形成金属互连膜，如 Al-Si，Cu 等，通过...
