IGBT驱动保护及典型应用摘要IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性，易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件，并得到越来越广泛的应用。本文主要介绍了IGBT的基本结构、工作原理、驱动电路，同时简要概括了IGBT模块的选择方法和保护措施等，最后对IGBT的实际典型应用进行了分析介绍，通过对IGBT的学习，来探讨IGBT在当代电力电子领域的广泛应用和发展前景。关键词：IGBT；绝缘栅双极晶体管；驱动电路；保护电路；变频器；电力电子器件目录引言.............................................................................................................................11、IGBT的基本结构.....................................................................................................12、IGBT的工作原理.....................................................................................................32.1IGBT的工作特性............................................................................................33、IGBT的驱动...........................................................................................................53.1驱动电路设计要求..........................................................................................53.2几种常用IGBT的驱动电路...........................................................................64、IGBT驱动保护.........................................................................................................74.1驱动保护电路的原则..............................................................................74.2IGBT栅极的保护............................................................................................84.3IGBT的过电流保护........................................................................................94.3.1驱动过流保护电路的驱动过流保护原则..........................................94.3.2IGBT过流保护电路设计.....................................................................94.3.3具有过流保护功能的IGBT驱动电路的研究...................................114.4IGBT开关过程中的过电压保护..................................................................134.5IGBT的过热保护..........................................................................................154.6IGBT驱动保护设计总结..............................................................................155.IGBT专用集成驱动模块M57962AL介绍............................................................166.IGBT在变频器中的典型应用................................................................................19结论............................................................................................................................20参考文献......................................................................................................................21引言随着国民经济各领域与国防工业对于电能变换和处理的要求不断提高，以及要满足节能与新能源开发的需求，作为电能变换装置核心部件的功率半导体器件也起着越来越重要的作用。IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管）自1982年由GE公司和RCA公司宣布以来，引起世界许多半导体厂家和研究者的重视，伴随而来的是IGBT的技术高速发展，其应用领域不断扩展它不仅在工业应用中取代了MOSFET和GTR（Gi...
