11.写出非限定情况下麦克斯韦方程组的微分形式，并简要说明其物理意义。2.答非限定情况下麦克斯韦方程组的微分形式为,,0,DBHJEBDttvvvvvvv，(3分)（表明了电磁场和它们的源之间的全部关系除了真实电流外，变化的电场（位移电流）也是磁场的源；除电荷外，变化的磁场也是电场的源。1.写出时变电磁场在1为理想导体与2为理想介质分界面时的边界条件。2.时变场的一般边界条件2nD、20tE、2tsHJ、20nB。(或矢量式2nDvvg、20nEvv、2snHJvvv、20nBvvg)1.写出矢量位、动态矢量位与动态标量位的表达式,并简要说明库仑规范与洛仑兹规范的意义。2.答矢量位,0BAAvvv；动态矢量位AEtvv或AEtvv。库仑规范与洛仑兹规范的作用都是限制Av的散度，从而使Av的取值具有唯一性；库仑规范用在静态场，洛仑兹规范用在时变场。1.简述穿过闭合曲面的通量及其物理定义2.sAdsvvò是矢量A穿过闭合曲面S的通量或发散量。若Ф>0，流出S面的通量大于流入的通量，即通量由S面内向外扩散，说明S面内有正源若Ф<0，则流入S面的通量大于流出的通量，即通量向S面内汇集，说明S面内有负源。若Ф=0，则流入S面的通量等于流出的通量，说明S面内无源。1.证明位置矢量xyzrexeyezrrrr的散度，并由此说明矢量场的散度与坐标的选择无关。2.证明在直角坐标系里计算，则有()()xyzxyzrreeeexeyezxyzrrrrrrrr3xyzxyz若在球坐标系里计算，则232211()()()3rrrrrrrrrrr由此说明了矢量场的散度与坐标的选择无关。21.在直角坐标系证明0Ar2.()[()()()]()()()0yxxxzzxyzxyzyyxxzzAAAAAAAeeeeeexyzyzzxxyAAAAAAxyzyzxzxyrrrrrrr1.简述亥姆霍兹定理并举例说明。2.亥姆霍兹定理研究一个矢量场，必须研究它的散度和旋度，才能确定该矢量场的性质。例静电场0sDdsqvvò0Dv有源0lEdlvv?0Ev无旋1.已知Rrrrrr，证明RRRReRr。2.证明xyzxyzRRRxxyyzzReeeeeexyzRRRrrrvvvR⋯⋯R1.试写出一般电流连续性方程的积分与微分形式，恒定电流的呢？2.一般电流/0,/JdSdqdtJtvvv?；恒定电流0,0JdSJvvv?1.电偶极子在匀强电场中会受作怎样的运动？在非匀强电场中呢？2.电偶极子在匀强电场中受一个力矩作用，发生转动；非匀强电场中，不仅受一个力矩作用，发生转动，还要受力的作用，使电偶极子中心发生平动，移向电场强的方向。1.试写出静电场基本方程的积分与微分形式。2.答静电场基本方程的积分形式01sEdsqrrò，0lEdlrr?微分形式,0DErr31.试写出静电场基本方程的微分形式，并说明其物理意义。2.静电场基本方程微分形式,0DEvv，说明激发静电场的源是空间电荷的分布（或是激发静电场的源是是电荷的分布）。1.试说明导体处于静电平衡时特性。2.答导体处于静电平衡时特性有①导体内0Ev；②导体是等位体（导体表面是等位面）；③导体内无电荷，电荷分布在导体的表面(孤立导体，曲率)；④导体表面附近电场强度垂直于表面，且0/Envv。1.试写出两种介质分界面静电场的边界条件。2.答在界面上D的法向量连续12nnDD或（1212nDnDvvvv）；E的切向分量连续12ttEE或（1112nEnEvvvv）1.试写出1为理想导体，二为理想介质分界面静电场的边界条件。2.在界面上D的法向量2nD或（12nDvv）；E的切向分量20tE或（120nEvv）1.试写出电位函数表示的两种介质分界面静电场的边界条件。2.答电位函数表示的两种介质分界面静电场的边界条件为12，1212nn1.试推导静电场的泊松方程。2.解由Dv，其中,DEEvvv，DEvv为常数2泊松方程1.简述唯一性定理，并说明其物理意义2.对于某一空间区域V，边界面为s，φ满足，给定（对导体给定q）则解是唯一的。只要满足唯一性定理中的条件，解是唯一的，可以用能想到的最简便的方法求解（直接求解法、镜像法、分离变量法⋯⋯），还可以由经验先写出试探解，只要满足给定的边界条件，也是唯一解。不满足唯一性定理中的条件无解或有多解。41.试写出恒定电场的边界条件。2.答恒定电场的边界条件为，，1.分离变量法的基本步骤有哪些?2.答具体步骤是1、先假定待求的位函数由两个或三个各自仅含有一个坐标变量的乘积所组成。2、把假定的函数代入拉氏方程，使原来的偏微分方程转换为两个或三个常微分方程。解这些方程，并利用给定的边界条件决定其中待定常数和函数后，最终即...
