第1页共5页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第1页共5页开关电源技术发展的十个关注点上世纪年代,开关电源的问世,使其逐步取代了线性稳压电源和相控电源
多年来,开关电源技术有了飞迅发展和变化,经历了功率半导体器件、高频化和软开关技术、开关电源系统的集成技术三个发展阶段
功率半导体器件从双极型器件(、、)发展为型器件(功率、、等),使电力电子系统有可能实现高频化,并大幅度降低导通损耗,电路也更为简单
自上世纪年代开始,高频化和软开关技术的开发研究,使功率变换器性能更好、重量更轻、尺寸更小
高频化和软开关技术是过去年国际电力电子界研究的热点之一
上世纪年代中期,集成电力电子系统和集成电力电子模块()技术开始发展,它是当今国际电力电子界亟待解决的新问题之一
关注点一:功率半导体器件性能年,公司推出冷管,它采用“超级结”()结构,故又称超结功率
工作电压~,通态电阻几乎降低了一个数量级,仍保持开关速度快的特点,是一种有发展前途的高频功率半导体器件
刚出现时,电压、电流额定值只有、25A
很长一段时间内,耐压水平限于~,经过长时间的探索研究和改进,现在的电压、电流额定值已分别达到1200A和1800A,高压单片耐压已达到,一般的工作频率上限为~,基于穿通()型结构应用新技术制造的,可工作于(硬开关)和(软开关)
的技术进展实际上是通态压降,快速开关和高耐压能力三者的折中
随着工艺和结构形式的不同,在年历史发展进程中,有以下几种类型:穿通()型、非穿通()型、软穿通()型、沟漕型和电场截止()型
碳化硅是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是:禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件
可以预见,碳化硅将是世纪最可能成功应用的新型功率半导体器件材料
关注点二:开