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1三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（A）。A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率PCM；D、管子的电流放大倍数。10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（B）。A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。4、共发射极放大电路的反馈元件是（B）。A、电阻RB；B、电阻RE；C、电阻RC。5、功放首先考虑的问题是（A）。2A、管子的工作效率；B、不失真问题；C、管子的极限参数。6、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（A）。A、放大电路的电压增益；B、不失真问题；C、管子的工作效率。7、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A）A、带负载能力强；B、带负载能力差；C、减轻前级或信号源负荷。8、功放电路易出现的失真现象是（C）。A、饱和失真；B、截止失真；C、交越失真。9、基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B）。A、截止区；B、饱和区；C、死区。10、射极输出器是典型的（C）。A、电流串联负反馈；B、电压并联负反馈；C、电压串联负反馈。三、选择题：（每小题2分，共20分）1、理想运放的开环放大倍数Au0为（A），输入电阻为（A），输出电阻为（B）。A、∞；B、0；C、不定。2、国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（C）。A、扁平式；B、圆壳式；C、双列直插式。3、由运放组成的电路中，工作在非线性状态的电路是（C）。A、反相放大器；B、差分放大器；C、电压比较器。4、理想运放的两个重要结论是（B）。A、虚短与虚地；B、虚断与虚短；C、断路与短路。5、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B）。A、正反馈与负反馈；B、线性与非线性；C、虚断和虚短。6、（B）输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。A、同相；B、反相；C、双端。7、集成运放的线性应用存在（C）现象，非线性应用存在（B）现象。A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。8、各种电压比较器的输出状态只有（B）。A、一种；B、两种；C、三种。9、基本积分电路中的电容器接在电路的（C）。A、反相输入端；B、同相输入端；C、反相端与输出端之间。10、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（B）。A、虚地；B、虚短；C、虚断。三、选择题（每小题2分，共12分）1、逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（B）。3A、逻辑加B、逻辑乘C、逻辑非2．、十进制数100对应的二进制数为（C）。A、1011110B、1100010C、1100100D、110001003、和逻辑式AB表示不同逻辑关系的逻辑式是（B）。A、BAB、BA?C、BBA?D、ABA4、数字电路中机器识别和常用的数制是（A）。A、二进制B...