1晶体三极管的识别和检测晶体三极管又称半导体三极管，简称晶体管或三极管。在三极管内，有两种载流子：电子与空穴，它们同时参与导电，故晶体三极管又称为双极型晶体三极管，它的基本功能是具有电流放大作用。一、结构NPN和PNP型两类三极管的结构如图。它有两个PN结（分别称为发射结和集电结），三个区（分别称为发射区、基区和集电区），从三个区域引出三个电极（分别称为发射极e、基极b和集电极c）。发射极的箭头方向代表发射结正向导通时的电流的实际流向。为了保证三极管具有良好的电流放大作用，在制造三极管的工艺过程中，必须作到：①使发射区的掺杂浓度最高，以有效地发射载流子；②使基区掺杂浓度最小，且区最薄，以有效地传输载流子；③使集电区面积最大，且掺杂浓度小于发射区，以有效地收集载流子。2半导体三极管亦称双极型晶体管，其种类非常多。按照结构工艺分类，有PNP和NPN型；按照制造材料分类，有锗管和硅管；按照工作频率分类，有低频管和高频管；一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中，高频管的工作频率可以达到几百兆赫。按照允许耗散的功率大小分类，有小功率管和大功率管；一般小功率管的额定功耗在1W以下，而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。1、共射电流放大系数β：β值一般在20～200，它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。2、反向击穿电压值U(BR)CEO：指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值，一般为几十伏，高压大功率管可达千伏以上。33、最大集电极电流ICM：指由于三极管集电极电流IC过大使β值下降到规定允许值时的电流（一般指β值下降到2/3正常值时的IC值）。实际管子在工作时超过ICM并不一定损坏，但管子的性能将变差。4、最大管耗PCM：指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。在实际工作中三极管的IC与UCE的乘积要小于PCM值，反之则可能烧坏管子。5、穿透电流ICEO：指在三极管基极电流IB=0时，流过集电极的电流IC。它表明基极对集电极电流失控的程度。小功率硅管的ICEO约为0.1mA，锗管的值要比它大1000倍，大功率硅管的ICEO约为mA数量级。6、特征频率fT：指三极管的β值下降到1时所对应的工作频率。fT的典型值约在100～1000MHz之间，实际工作频率。二、半导体器件的命名方法1．中国半导体器件的命名法根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表2-15。表2-15国产半导体器件的型号命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的电极数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类别用数字表示器件序号用汉语拼音字母表示规格号符号意义符号意义符号意义4542二极管ABCDN型锗材料P型锗材料N型硅材料P型硅材料PVWCZLSNUK普通管微波管稳压管参量管整流管整流堆隧道管阻尼管光电器件开关管3三极管ABCDEPNP型锗材料NPN型锗材料PNP型硅材料NPN型硅材料化合物材料XGDAUK低频小功率管（fT＞3MHz,PC＜1W）高频小功率管（fT≥3MHz,PC＜1W）低频大功率（fT≤3MHz,PC≥1W）高频大功率（fT≥3MHz,PC≥1W）光电器件开关管IYBJ可控整流器体效应器件雪崩管阶跃恢复管CSBTFHPINJG场效应器件半导体特殊器件复合管PIN型管激光器件5例如:3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。2.美国半导体器件命名法根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表2-16所示。表2-16美国半导体器件型号的命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示器件的等级用数字表示PN结数目用字母表示材料用数字表示器件登记序号用字母表示同一器件的不同档次符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义J军品1二极管N表示不加热即半导体器件2～4位数字登记顺序号A、B、C⋯表示器件改进型无非军品2三极管3四极管例如:1N4148表示开关二极管，2N3464表示高频大功率NPN型硅管。3．日本半导体器件命名法表2-17日本半导体器件命名法6第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的电极数目用字母表示半导体器件用拉丁字母表示器件的结构和类型用2～3位数字表示器件登记顺序号用拉丁字母表示同一种型号器件的改进...
