目录1课题背景................................................................................................................................12国内外研究进展....................................................................................................................22.1银纳米线的制备..............................................................................................................22.1.1银纳米线的制备状况...............................................................................................32.1.2银纳米线的生长机理...............................................................................................42.2银纳米线透明导电膜的制备..........................................................................................62.2.1银纳米线薄膜制备...................................................................................................62.2.2后处理工艺...............................................................................................................82.2.3渗透理论.................................................................................................................112.3银纳米线透明导电膜的应用........................................................................................122.3.1太阳能电池.............................................................................................................132.3.2透明加热器.............................................................................................................132.3.3触摸屏.....................................................................................................................132.3.4显示器.....................................................................................................................133展望......................................................................................................................................134参考文献..............................................................................................................................15III1.课题背景高导电性和高透光性的透明导电膜对于各种电子器件的性能是很有必要的。具有透明导电膜的光电子器件在我们日常生活中被广泛使用，如触摸面板和液晶显示器。透明导电氧化物通常在这些光电子器件中用作电极[1]。在电子工业中最常用的导电氧化物是氧化铟锡（ITO）[2]，它具有优异的光学透明度和低表面电阻，极大地拓宽了其在光电器件中的用途[3]，例如太阳能电池[4]、触摸屏[5]和平板显示器[6]。然而，ITO也有一些固有的缺点，例如沉积工艺需要高的真空度[7]，沉积温度比较高[8]，相对高的生产成本[9]和易脆的属性[10]。随着电子设备需求的快速增长和具有新特性设备的发展，例如柔性显示器[11]，柔性触摸面板[12]，柔性太阳能电池[13]，柔性晶体管[14]和柔性超级电容器[15]等，ITO不能满足这些要求。因此，一些研究者们已经深入研究了新的透明导电材料以替代ITO。理想的能替代ITO的材料应该成本低，适应各种基底，且方便制备。最近研究了一些能替代ITO的材料，比如银纳米线[16]、碳纳米管[17]、石墨烯[18]、铝掺杂的氧化锌[19]和导电聚合物[20]。通常，透明导电膜应能够满足广泛不同应用的性能要求。例如，光学烟雾有益于太阳能电池但对触摸面板有害；触摸屏需要的薄层电阻在50-300Ω/sq的范围内。然而，太阳能电池薄层电阻应小于10Ω/sq[21,22]。表1总结了各种透明导电膜的性质和制备方法[23]。表1各种透明导电膜的性质和制备方法含碳的透明导电膜主要包括碳纳米管和石墨烯。由于碳纳米管具有高导电性，高1导热性，高机械强度和良好的化学稳定性[24]，具有广泛的应用，包括太...
