外部存储器控制器EMC:外部管理控制器.在LPC2300系列ARM里,外部存储器控制器(EMC)为AHB总线和外部存储器件提供了接口,使得CPU得以扩展外部存储器.LPC2300系列中的LPC2378和LPC2388具备EMC,支持2个可单独配置的存储器组.这两个存储器组都支持SRAM,ROM,Flash,BurstROM或一些外部I/O器件.存储器组的片选地址范围大小为64KB.下面是EMC的控制器:对于AHB从机寄存器接口,CPU可以通过AHB从机寄存器接口对EMC寄存器进行编程.为了避免可能发生的字顺序问题,操作EMC寄存器的过程中,所有数据的床上必须是32位宽的字.通过数据缓冲区进行读写操作,可提供存储器带宽并减少传输等待时间.EMC含有4个16字大小的数据缓冲区.数据宽城区可用作读缓冲区,写缓冲区或读写缓冲区.存储器控制器状态机包括一个静态存储器控制器.CPU通过AHB从机存储器接口访问外部存储器,在访问外部存储器时,需要注意以下几点:1.数据传输的字节顺序2.数据产生的宽度3.对写保护的存储器区域进行写操作.我们再来看一下EMC的结构图:我们再看看EMC的基本操作过程:1.首先是使能EMC:在使用EMC前一定要先在功率控制寄存器中将其使能:PCONP=PCONP|0x00000800;//第11位置1接下来,设置EMC控制寄存器EMCControl的第0位置1,使能EMC:EMCControl=0x00000001;2.引脚连接:将相关的引脚连接到EMC模块.PINSEL6=0x00005555;//选择D0~D7脚PINSEL8=0x55555555;//选择A0~A15脚tmp=PINSEL9;tmp&=&0x0FF0FFFF;PINSEL9=tmp|0x50090000;//选择-OE,-WE,-CS0,-CS1脚3.时序设置:通常情况下,我们再操作外部存储器时分为读,写两个操作.在读操作的过程中,我们需要配置下面的寄存器a.静态存储器输出使能延时寄存器(EMCStaticWaitOen0-1);b.静态存储器读延时寄存器(EMCStaticWaitRd0-1);c.静态存储器页模式读延时寄存器(EMCStaticWaitPage0-1);通过设置静态存储器输出使能延时寄存器(EMCStaticWaitOen0-1)可改变片选信号优先到输出有效的延时t;通过静态存储器读延时寄存器(EMCStaticWaitRd0-1)可改变从片选信号有效到器件输出允许失效之间的延时t.页模式下,一次片选有效期内可联系读/写4个字节,在这过程中,-WE和-OE信号保持不变,只有地址信号发生变化,此时不能理解读取数据线上的数据,而不像等待一段时间t.EMCStaticWaitPage的作用就是设置这段等待时间t的长短.要注意的是,如果t值太大,读的速度会变慢,而t值太小,则读取可能会出错.写操作的时序设置,我们需要配置的寄存器有:静态存储器写使能延时寄存器(EMCStaticWaitWen0-1);静态存储器写延时寄存器(EMCStaticWaitWr0-1);通过设置静态存储器写使能延时寄存器(EMCStaticWaitWen0-1)改变从"片选有效到写使能信号有效"之间的延时时间t.通过设置静态存储器写延时寄存器EMCStaticWaitWr0-1)改变片选有效到写使能信号失效之间的延时时间t我们看一个EMC的时序设置的例子:EMCStaticConfig0=0x0;//禁止页模式EMCStaticWaitWen0=0x0;//写使能延时为1cclkEMCStaticWaitWr0=0x1F;//延时33cclk写EMCStaticWaitOen0=0x0;//输出使能延时为1cclkEMCStaticWaitRd0=0x1F;//延时为33cclk读EMCStaticWaitPage0=0x0;//页读模式延时为1cclkEMCStaticWaitTurn0=0x0;//总线空闲为1cclk我并没有去仔细的查手册来看每一个寄存器的更详细的使用方法,从文档中抄袭了一下,大家先对某些东西有些印象,在使用的时候再慢慢的消化,学习的过程也只能如此.4.读写操作:在设置完EMC之后,就可以像访问RAM一样以字节,半字以及字读写的方式来访问外部存储器了.例如:#defineCS1ADDR0BUF3(*(volatileunsignedlong*)(0x80004000))intmain(void){volatilelongx;EMCInit();//EMC初始化while(1){......CS1ADDR0BUF3=0x55AA55AA;//以字的方式进行读写x=CS1ADDR0BUF0;}return(0);}
