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电力电子技术试题（A）答案：一、填空题1、GTR、GTO、MOSFET、IGBT、MOSFET、GTR。2、要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高、触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、均流、串专用均流电抗器。4、正弦波、方波。5、双向晶闸管、800V、100A。6、同一桥臂、不同桥臂。7、增加、下降、下降、增加。8、逆变电源、逆变桥。负载、电抗器、大于。9、快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。10、Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-。二、判断题：1、√、2、×、3、×、4、×、5、√、6、×、7、×、8、×、9、×、10、√。三、选择题：1、A、2、C、3、B、4、A、5、A。四、问答分析题：1、R、C回路的作用是：吸收晶闸管瞬间过电压，限制电流上升率，动态均压作用。R的作用为：使L、C形成阻尼振荡，不会产生振荡过电压，减小晶闸管的开通电流上升率，降低开通损耗。2、单结晶体管特性曲线可分为：截止区、负阻区、饱和导通区。3、五、计算题。1、解：整流电路输出电压的平均值为：Ud=0.45U2(1+cosα)/2＝74.25V整流电路输出电压的有效值为：U=U2[sin2α/4π+(π-α)/2π]1/2=139.5V整流输出电流的平均值为：Id=Ud/Rd=7.425A有效值为：I=U/Rd=13.95A电流的波形系数为：Kf=I/Id=13.95/7.425=1.88晶闸管承受的最大正反向电压为：UTM=21/2U2=21/2×220=311VUDRM=2×311=622V取700V电流的有效值为：ITn=1.57IT(AV)>2IIT(AV)>2I/1.57=2×13.95/1.57=17.3A取20A2、解：（1）负载上最大输出平均电压为Udm=IdmRd=25×4=100V又因为Ud=0.9U2(1+cosα)/2当α＝0时，Ud最大，即Udm=0.9U2，U2=100/0.9=111V所以变压器的变比为K=U1/U2=220/111=2(2)因为α＝0时，id的波形系数为Kf=(2π2)1/2/4=1.11所以负载电流有效值为：I=KfId=1.11×25＝27.5A所选导线截面积为：S>I/J=27.5/6=4.6mm2，选BU-70铜线。（3）考虑到IT=I/21/2，则晶闸管的额定电流为IT(AV)>IT/1.57=27.5/21/2×1.57=12.5A,取30A.晶闸管承受最大电压UTm=21/2U2=157V，取400V选晶闸管型号为KP30-4（4）S=U2I2=U2I=111×27.5＝3.08KVA《电力电子技术》B试卷答案一、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波?。5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经?逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。9、常用的过电流保护措施有快速熔断器?、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种。二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。（√）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（×）三、选择题（每题3分，15分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。A、180°，B、60°，c、360°，D、120°2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。A，0度，B，60度，C，30度，D，120度，3、晶闸管触发电路中，若改变B的大小，则输出脉冲...