单晶硅太阳能电池制作工艺VIP免费

单晶硅太阳能电池/DSSC/PERC技术2015-10-20单晶硅太阳能电池单晶硅太阳能电池的基本特性参数•”跻巾一床U*,即将幺阳能电池置于100mW/cm2的光源煦汕卜，在两歸幵路I卜J,上阳能电池的输出电压值。-短路电流I©就是将太阳能屯池臂r标准光源的照射下，在输出端短路时，流过太阳能屯池两端的屯流.-最大输岀功率Pm,如果选择的负载电阻值能使输出电爪和电流的乘积最大，即口J获得最大输出功率口-填充因子FF,他是最大输出功率打开路电用和短路电流乘积之比*是代表太阳能电池在带最住负载吋，能输出的最大功率的特性°•转换效率ri指在外部回路上连接最佳负载电阻时的最大能址转换效率。-伏安特性，工作状态下太阳电池的电压-电流特性.V工作原理圏工作原理；当A阳光臆射到A阳电池上并被吸收时，其中能冰人」；禁带宽度的光子能把价带中电子激发到导带上去，形成自由电代价带中留下带正电的自由空穴，即电子一空穴对；自巾电了和窣处在不停的运■动中扩散到RN结的空间电荷区，被该区的内建电场分离，电子被扫到电池的N型一侧，宇穴被扌訂到电池的P型-侧，从而在也池上下两面（两极）分另肝"形成了正负电荷积累，产生“光生电压”，即“光伏效应”,若在电池两侧引出也极并接上负载，负载中就有館光纶电流”通过。棚脂电扱0,5mmlcm赋反射膜背电槻丄PCS2•太阳能电池片的化学清洗工艺切片要求：①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。②断面完整性好，消除拉丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率，缩小刀（钢丝）切缝，降低原材料损耗。④提高切割速度，实现自动化切割。具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类：1、有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合兆声波清洗技术来去除。2、颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径M0.4|am颗粒，利用兆声波可去除M0.2|am颗粒.3、金属离子沾污：该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。硅片表面金属杂质沾污又可分为两大类：（1）、沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。（2）、带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。1、用H2O2作强氧化剂，使“电镀”附着到硅表面的金属离子氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面2、用无害的小直径强正离子（如H+），一般用HCL作为H+的来源，替代吸附在硅片表面的金属离子，使其溶解于清洗液中，从而清除金属离子。3、用大量去离子水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。由于SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除；同时溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等，使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。因此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的清洗效果。另外SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，具有极强的氧化性和络合性，能与氧化以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。具体的制作工艺说明（1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。（2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30-50um。（3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。（4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN+结，结深一般为0.3-0.5um。（5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。（6）去除背面PN+结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结。（7）制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。（8）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2,SiO2,AI2O3,SiO,Si3N4,TiO2,Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅...