清华大学模电视频听课笔记VIP免费

华成英模电视频第一课：要用发展的眼光看问题，我们在说一个物理量时已经把它数字化了。13分钟对模拟信号最基本的处理就是放大。任何模拟电路几乎毫无例外的有放大电路，放大其实是对能量的控制。15分钟模拟电路要先看，会定性的分析，要估算（因为任何一个半导体器件参数是具有分散性的精确计算是没有意义的，估算就是忽略了一些东西而忽略了一些次要的东西），模电里充满了辩证法，估算的忽略是有道理的要看你研究的是什么问题。如何学习模电：理解概念（概念的应用是灵活的），抓基本电路（注意他们的组成原则），基本方法（）。29分要注意“系统”的观念，工程的观念，科技进步的观念，创新意识的培养，EDA技术给非微电子人员提供了一个创新的平台。考察方法：会看定性的分析，会算要知道算什么（看懂才知道算什么），会选（提出一个需求会选定电路，选定器件，选参数），会调（模拟电路不能光用理论指导）38分第一章学习一个最好的手段叫做比较。第二课本征半导体是纯净的晶体结构的半导体材料空穴电子本征半导体的导电性能和温度有关N型半导体，P型半导体：通过加杂质使它的导电性能可控。少数载流子是影响半导体期间温度稳定性的一个重要因素？？？PN节是怎么形成的，N型半导体多数载流子是电子失去后带正电（记住），P型半导体多数载流子是空穴失去后带负电（记住），内部有两种运动：1扩散运动（浓度差），2飘移运动（内部电场），相互阻止。外加正向电压利于扩散形成电流，外加反向电压时利于飘移运动，因为飘逸的是少数载流子会形成微弱电流近似没有电流。在环境温度变化时：环境温度升高反向电流（由少数载流子决定而少数载流子受温度影响很大）增大，是半导体器件温度稳定性差的主要原因。PN节有速度的限制，它本身有电容效应，电容效应表现在两个方面：势磊电容（空间电荷区的变宽变窄），扩散电容（扩散过程中电荷的积累与扩散）。两个电容相加就叫结电容，结电容不是常量随工作条件的变化而变化，一个半导体器件有最高频率的限制PN节是构成半导体的基本单元二极管的不同：PN节的截面积小工作频率高通过电流小。PN节的截面积大工作频率低通过电流低。第三课反向电流（少数载流子参与飘逸，当外加反向电压加到一定程度反向电流不再增大），二极管的电流方程（温度有关）反向饱和电流越小说明他的单项导电性能越强，在二极管的回路中只要存在二极管正向导通的情况就要串联一个电阻给它限流，特点：温度变化时福安特性变化。当我们遇到一个不熟悉的电路时为了分析会用我们熟悉的一个电路去替换它即等效电路，但是注意等效电路是有条件的，用等效电路时要能说出在什么条件下。理想模型：正向时导通电压为零反向时饱和电流为零，二极管像一个开关折线模型：近似分析里经常用，转化为一个电池和一个二极管串联在什么样的条件下用什么样的等效电路呢？动态分析时用的动态等效电路（直流和交流同时作用）：注意符号：当符号是分量下标也是分量时它表示的是直流分量；小写的字母表示器件本身的参数小写的下标表示的是动态量27分二极管的参数：最大整流电流（是个平均电流），反向击穿电压（），反向饱和电流（描述二极管单向导电性的强弱大功率管的电流强），二极管的最高工作频率（由于结电容的存在，截面积越小工作频率越高）稳压二极管管：稳定电压，稳定电流，最大稳定电流，动态电阻。三极管：结构符号原理放大特性参数发射区：浓度大集电区：集电区面积大基区：做的非常薄多数载流子密度低第四课导通Ube做够大，集电节反偏，发射节正偏。21分近似5课第二章运放的概念，组成放大的原则，放大电路分析方法放大是信号源作用的结果不是直流电源作用的结果，因为理论上信号可以被分解为正弦的高次谐波所以测试放大电路的性能时我们用正弦信号，电子学的放大是指输入信号是小能量而负载获得的是大能量。放大电路做的事情就是把直流电源提供的能量转换成和信号有关的能量。放大的基本要求是不失真。放大电路性能指标：放大的能力（电压放大倍数，电流放大倍数，互阻放大倍数，互导放大倍数），输入输出电阻，通频带，最大不失真电压测放大倍数输入电阻输出电阻：用中频小信号...