模拟电子技术试卷VIP免费

《模拟电子技术》测试题六一、填空题：（2 ８分，每空 1 分）1、BJT 是 控制器件，FET 是 控制器件。2、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管_____；若两次读数都接近零，则此二极管_____________；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管______________。3.简单的差分放大器双端输出时，对_______信号有较强的抑制能力，而对________信号有较强的放大作用。4.差动放大电路两个输入端的电流分别是 2v 和 3v，则共模信号是 v，差模信号为 v。。5、要获得低频信号，可选用 振荡器；要获得高频信号可选用 振荡器。6、负反馈虽使放大电路的放大倍数_____了，但其他的性能得到了改善：_________、_____________、____________、____________。7、射极输出器的重要特点是____________、_______________和___________。8、场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻_____。源极输出电路的重要特点是______，____________和____________。9、理想集成运放的条件是_________、_____________、___________、________和_________________。二、选择题：（20 分，每题 2 分）1、PN 结反向向偏置时，其内电场被（ ）。A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定2、三极管工作在饱和状态的条件是（ ）。A、发射极正偏，集电极正偏 B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极反偏，集电极反偏 D、发射极反偏，集电极正偏3、PN 结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（ ）。 a：其反向电流增大 b：其反向电流减小 c：其反向电流基本不变4、稳压二极管是利用 PN 结的（ ）。 a：单向导电性 b：反向击穿性 c：电容特性5、二极管的反向饱和电流在 20℃时是 5μA，温度每升高 10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为 40℃时，反向饱和电流值为（ ）。 a：10μA b：15μA c：20μA d：40μA6、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态7、某 NPN 型三极管的输出特性如图所示，当 Uce=6V 时。其电流 放大系数 β 为（ ）。A、β=100 B、β=50 C、β=150 D、β=25 9 题图VCCR1R2RLvivoVCCRCRB8. 当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（ ） a．集电极最大允许功耗ＰＣＭ b．集电极最大允许电流ＩＣＭc．集－基极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＢＯ9、右图为单相桥式整...