等离子体刻蚀机原理 什么是等离子体
▪随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和气体
它们统称为物质的三态
▪当气体的温度进一步升高时，其中许多，甚至全部分子或原子将由于激烈的相互碰撞而离解为电子和正离子
这时物质将进入一种新的状态，即主要由电子和正离子（或是带正电的核）组成的状态
这种状态的物质叫等离子体
它可以称为物质的第四态
等离子体的应用 等离子体的产生 等离子体的应用 等离子体刻蚀原理 ▪等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除
▪这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀
等离子体刻蚀反应 ▪首先，母体分子CF4 在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子
CF4→CF3，CF2，CF，C，F ▪其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达 SiO2 表面，并在表面上发生化学反应
▪生产过程中，在CF4 中掺入 O2，这样有利于提高Si和 SiO2 的刻蚀速率
等离子体刻蚀工艺 ▪装片 在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙
将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子
检验方法 ▪冷热探针法 检验原理 ▪热探针和 N 型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电 子 缺 少 ， 因 而 其 电 势 相 对 于 同 一 材 料 上 的 室 温 触 点 而 言 将 是 正 的
▪同 样 道 理 ， P 型 半 导 体 热 探 针 触 点 相 对 于 室 温 触 点 而 言 将 是 负 的
▪此 电 势 差 可 以 用 简 单 的 微 伏 表 测 量
▪热 探 针 的 结 构 可 以 是 将 小 的 热 线 圈 绕 在 一 个
