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1.4场效应晶体管Field-EffectTransistors(FETs)ShanghaiJiaoTongUniversity内容提要1.4.1结型场效应管,原理、输出特性与转移特性1.4.2绝缘栅型场效应管,原理、输出特性与转移特性1.4.3场效应管的主要参数1.4.5场效应管与晶体管的比较ShanghaiJiaoTongUniversity1.4.1结型场效应管的结构和符号ShanghaiJiaoTongUniversity图1.4.2N沟道结型场效应管的结构示意图ShanghaiJiaoTongUniversity图1.4.3uDS=0时uGS对导电沟道的控制作用?...0DSu沟道变窄沟道消失ShanghaiJiaoTongUniversity图1.4.4UGS(off)0的情况预夹断恒流DS间为电阻特性GSDmuigShanghaiJiaoTongUniversity图1.4.5场效应管的输出特性123ShanghaiJiaoTongUniversity图1.4.6场效应管的转移特性曲线2)()1(offGSGSDSSDUuIiShanghaiJiaoTongUniversity图1.4.7N沟道增强型MOS管结构示意图及增强型MOS的符号ShanghaiJiaoTongUniversity图1.4.8uDS=0时uGS对导电沟道的影响ShanghaiJiaoTongUniversity图1.4.9uGS为大于UGS(th)的某一值时uDS对iD的影响ShanghaiJiaoTongUniversity图1.4.10N沟道增强型MOS管的特性曲线ShanghaiJiaoTongUniversity图1.4.11N沟道耗尽型MOS管结构示意图、符号及转移特性ShanghaiJiaoTongUniversity图1.4.13场效应管的符号及特性ShanghaiJiaoTongUniversity1.4.3场效应管的主要参数直流参数交流参数极限参数)(offGSU夹断电压开启电压)(thGSU饱和漏极电流DSSI直流输入电阻)(DCGSR低频跨导极间电容constUGSDmDSuigdsgdgsCCC,,最大漏极电流DMI击穿电压GSBRDSBRUU)()(,最大耗散功率DMPShanghaiJiaoTongUniversity例1.4.2试分析为0V,8V和10V情况下分别为多少?IuIuOuShanghaiJiaoTongUniversity如图所示电路,场效应管的夹断电压UGS(off)=-4V,饱和漏电流IDSS=4mA。试问,为保证负载电阻RL上的电流为恒流,RL的取值范围为多少?ShanghaiJiaoTongUniversity1.4.5场效应管与晶体管的比较流控?压控?温度稳定性噪声管脚互换性偏置的多样性工艺性放大倍数ShanghaiJiaoTongUniversity今日作业1.15,1.16

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