Flash Nor Nand 闪存简介： 闪存是可通过电擦写和重编程的非挥发性计算机存储器。闪存技术主要应用在计算机和其他数字设备间传输数据的存储卡和 USB 盘上。它是一种可用大块擦写和重编程技术访问的特殊类型的 EEPROM （Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）。闪存不需要电源维持芯片内保存的数据。另外闪存相比硬盘有数倍的访问速度并且更抗震动。它可以经受很大的压力，极端的温度，甚至可以浸泡在水中仍然保持可用。 FLASH MEMORY 主要采用两种规格的技术：NAND 和 NOR。 NOR 型与 NAND 型闪存的区别很大，打个比方说，NOR 型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而 NAND 型更像硬盘，地址线和数据线是共用的 I/O 线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且 NAND 型与 NOR 型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此， NOR 型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用 NOR 型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND 型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用 NAND 型闪存。在大部分应用中都采用 NAND FLASH，以下的芯片选型都是关于NAND FLASH。 NAND 型闪存的技术特点： 内存和 NOR 型闪存的基本存储单元是 bit，用户可以随机访问任何一个 bit 的信息。而NAND 型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND 型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512 字节）。每一页的有效容量是 512 字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上 16 字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。目前2Gb 以下容量的 NAND 型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb 以上容量的 NAND 型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。 NAND 型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32 个 512 字节的页，容量 16KB；而大容量闪存采用 2KB 页时，则每个块包含64 个页，容量 128KB。 每颗NAND 型闪存的 I/O 接口一般是 8 条，每条数据线每次传输（512+16）bit 信息，8条就是（512+16）×8bit，也就是前面说的 512 ...
