NAND FLASH 内存详解与读写寻址方式一、内存详解NAND闪存阵列分为一系列 128kB的区块(block),这些区块是 NAND器件中最小的可擦除实体
擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(而所有字节(byte)设置为 FFh)
有必要通过编程,将已擦除 的位从"1"变为"0"
最小的编程实体是字节(byte)
一些 NOR闪存能同时执行读写操作(见下图 1)
虽然 NAND不能同时执行读写操作,它可以 采用称为"映射(shadowing)"的方法,在系统级实现这一点
这种方法在个人电脑上已经沿用多年,即将 BIOS从速率较低的 ROM加载到速率较高 的 RAM上
NAND的效率较高,是因为NAND串中没有金属触点
NAND闪存单元的大小比NOR要小(4F2:10F2)的原因,是 NOR的每一个单元都需 要独立的金属触点
NAND与硬盘驱动器类似,基于扇区(页),适合于存储连续的数据,如图片、音频或个人电脑数据
虽然通过把数据映射到 RAM上,能在 系统级实现随机存取,但是,这样做需要额外的 RAM存储空间
此外,跟硬盘一样,NAND器件存在坏的扇区,需要纠错码(ECC)来维持数据的完整性
存储单元面积越小,裸片的面积也就越小
在这种情况下,NAND就能够为当今的低成本消费市场提供存储容量更大的闪存产品
NAND闪存用于几乎所 有可擦除的存储卡
NAND的复用接口为所有最新的器件和密度都提供了一种相似的引脚输出
这种引脚输出使得设计工程师无须改变电路板的硬件设计,就能从 更小的密度移植到更大密度的设计上
NAND 与 NOR 闪存比较NAND闪存的优点在于写(编程)和擦除操作的速率快,而 NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写(编程)操作的能力(见下图图 2)
NOR的随 机存取能力支持直接代码执行(XiP),而这是嵌入式应用经常需要的一个功能