个人档案 呢称：香雪茶 文章(7 ) 访问(1 3 3 6 4) 评论(7 7 ) 投票(1 3 8 ) 订阅本博 介绍： 在整个电子产业链中，除了材料、封装没搞过，其它基本都做过。如此也就是能混碗饭吃而已。现在科技发展日新月异，跟不上了，开个博客，重新学习。 全部博文： 2011年 - 2月 1月 查看全部博文 博客首页 再谈晶体管的饱和状态和饱和压降发布时间：2011-02-15 12:00:43 在前面所写的《晶体管参数在实际使用中的意义》中，提到了晶体管的饱和压降问题，有网友对此问题提出了不同意见。当时，没太在意。过后对此问题又重新思考一下，同时，在网上看看对问题的看法，结果发现，许多的理解是错误的，一些解释也是不完全的。因此，想对此问题重点说说。如有不同意见，欢迎讨论。 众所周知，一个普通的双极型晶体管有二个PN 结、三种工作状态（截止、饱和、放大）和四种运用接法（共基、共发、共集和倒置）。对这两个PN 结所施加不同的电位，就会使晶体管工作于不同的状态：两个PN 结都反偏——晶体管截止；两个PN 结都导通——晶体管饱和：一个PN 结正偏，一个PN 结反偏——晶体管放大电路（注意：如果晶体管的发射结反偏、集电结正偏，就是晶体管的倒置放大应用）。要理解晶体管的饱和，就必须先要理解晶体管的放大原理。 从晶体管电路方面来理解放大原理，比较简单：晶体管的放大能力，就是晶体管的基极电流对集电极电流的控制能力强弱。控制能力强，则放大大。但如果要从晶体管内部的电子、空穴在PN 结内电场的作用下，电子、空穴是如何运动的、晶体管的内电场对电子、空穴是如何控制的等一些物理过程来看，就比较复杂了。 对这个问题，许多教课书上有不同的描述。我对此问题的理解是：当晶体管处于放大状态时，基极得到从外电源注入的电子流，部分会与基区中的空穴复合，此时产生的复合电流，构成了基极电流的主体。由于此时晶体管是处于放大状态，故集电结处于反偏。又因集电结的反偏，就在此 PN 结的内部，就形成了一个强电场，电场的方向由集电极指向基极，即集电极为正，基极为负。也就是说，在此 PN 结（集电结）联接集电极的一端，集中了大量带正电的空穴。当从基极注入的电子流进入基区后，一部分与基区内部的空穴进行了复合，而大部分电子则在强电场的作用下，被“拉”到了集电极，这种被电场“拉”到集电极的电子流，构成了集电极电流的主要组成部分。由于从基极注入的电子流，只有很少一部分在基区被复...
