场效应晶体管 一、场效应晶体管概述 场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、温度系数低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管工作时只有一种极性的载流子参与导电，所以场效应管又称为单极型晶体管。场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN 结而得名，绝缘栅型场效应管（IGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS 和VMOS 功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS 场效应管、VMOS 功率模块等。 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分N 沟道和P 沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 二、场效应晶体管与半导体晶体管的异同 1 、外形相同 场效应晶体管与半导体晶体管（双极晶体管）的封装外形基本相同，也有B 型、F 型、G 型、TO-3 型金属封装外形和S-1 型、S-2 型、S-4 型、TO-92 型、CPT 型、TO-126 型、TO-126FP型、TO-202 型、TO-220 型、TO-247 型、TO-3P 型等塑料封装外形。 2 、结构及工作原理不同 场效应晶体管属于电压型控制器件，它是依靠 控制电场效应来改 变 导电沟道多 数载流子（空 穴 或 电子）的漂 移 运 动 而工作的，即用微 小的输入变 化电压V G 来控制较 大的沟道输出电流ID，其放大特性（跨导）GM=ID/VG；半导体晶体管属于电流通渠道型控制器件，它是依靠注入到基极区的非平衡少数载流子（电子与空穴）的扩散运动而工作的，即用微小的输入变化电流Ib 控制较大的输出变化电流Ic，其放大倍数β=Ic/Ib。 3 、引脚功能不同 半导体晶体管的三个引脚分别是集电极C、基极B 和发射极E，而场效应晶体管的三个引脚分别是漏极D、栅极G 和源极S。 三、结型场效应晶体管 结型场效应晶体管（英文简称 JFET）属于小功率场效应晶体管，广泛应用于各种放大、调制、阻抗变换、限流、稳流及自动保护等电路中。 1 、结型场效应晶体管的结构特点 结型场效应晶体管一般为耗尽型，在零栅压下有电流输出。其内部有两个 PN 结，如图1 所示。两个 PN 结结层附近的区域称为耗尽区，其...
