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第五章习题 1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射 n 型样品...
第三章习题和答案 1. 计算能量在E=Ec到2*n2CL2m100EE 之间单位体积中的量子态数。 解： 2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状...
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