2 0 0 8 级《微电子工艺》复习提纲 一、衬底制备 1. 硅单晶的制备方法。 直拉法 悬浮区熔法 2. 晶圆的处理工艺，晶圆晶向的表征方法。 切：沿（100）或（111） 磨：机械研磨，消除划痕 抛；化学抛光 3. 理解最大固浓度的概念，硅的杂质源和掺杂特点。 固浓度，杂质 B 在晶体 A 中最大的溶解浓度，最大固浓度给杂质扩散设置了表面最大浓度；P 10^21 B 10^19 二、外延生长 1. 外延的定义和外延的几种方法。 在晶格衬底上生长一层单晶膜；气相 固相 液相 2. 四氯化硅氢气还原法外延制备硅的技术，理解温度、反应剂浓度、衬底晶向对生长速率的影响。书 P186 温度：高温区，单位时间反应剂输运到衬底表面的数量，质量输运，实际外延温度；低温区，生长速率由化学反应快慢决定。 反应剂浓度：四氯化硅浓度较低时，硅原子释放速度远小于成长速度，化学反应控制外延生长速率；当四氯化硅浓度达到一定程度，硅原子释放速率大于生长速率，排列生长的速率控制外延生长速率。到四氯化硅浓度大于 0.28 时，只存在腐蚀反应。 衬底晶相：不同晶面的键密度不同，键合能力存在差别，对生长速率产生影响，键密度大，键合能力强，外延层生长速率就相对快。 3. 理解硅的外延生长模型解释硅外延生长为平面生长技术。 书 P184 平台 扭转 台阶 吸附原子在扭转位置最为稳定，在继续生长过程中，更多吸附原子会迁移到扭转位置，从而加入生长的薄膜中。 4. 硅外延多晶与单晶生长条件。 任意特定淀积温度下，存在最大淀积率，超过最大淀积率生成多晶薄膜，低于最大淀积率，生成单晶外延层。 三、薄膜制备 1 -氧化 1. 干法氧化，湿法氧化和水汽氧化三种方式的优缺点。 干法氧化：干燥纯净氧气 湿法氧化：既有纯净水蒸汽有又纯净氧气 水汽氧化：纯净水蒸汽 速度 均匀重复性 结构 掩蔽性 干氧 慢 好 致密 好 湿氧 快 较好 中 基本满足 水汽 最快 差 疏松 差 2. 理解氧化厚度的表达式和曲线图。 二氧化硅生长的快慢由氧化剂在二氧化硅中的扩散速度以及与硅反应速度中较慢的一个因素决定；当氧化时间很长时，抛物线规律，当氧化时间很短时，线性规律。 3. 温度、气体分压、晶向、掺杂情况对氧化速率的影响。 温度：指数关系，温度越高，氧化速率越快。 气体分压：线性关系，氧化剂分压升高，氧化速率加快 晶向：（111）面键密度大于（100）面，氧化速率高；高温忽略。 掺杂：掺杂浓度高的氧...
