THB6HHBY THB6128128128 北京海华博远科技发展有限公司 2009年 03月 - 1 - THB6THB6128128 高细分高细分两相混合式步进电机两相混合式步进电机两相混合式步进电机驱动驱动驱动芯片芯片芯片 一、 特性特性:: ● 双全桥 MOSFET驱动,低导通电阻 Ron=0
55Ω ● 最高耐压 36VDC,大电流2
2A(峰值) ● 多种细分可选(1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128) ● 自动半流锁定功能 ● 快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选 ● 内置温度保护及过流保护 二、 管脚管脚图图: Ou tpu t control logicCu rrent select circu itCu rrent select circu itOscillatorTSDISDVMBOUT1AOUT2AOUT1BOUT2BNFANFBSTM1M2RESETCLKRegu lator 2VREG2Ou tpu t pre stageOu tpu t pre stageOu tpu t pre stageOu tpu t pre stageVREFSGNDVMENABLEVMACW/CCWVREG1MOM3PGNDBPGNDADOWNDecay Mod esetting circu itOSC1OSC2FDTRegu lator 1THB6HHBY THB6128128128 北京海华博远科技发展有限公司 2009年 03月 - 2 - 三、 管脚说明管脚说明:: 端子 No 端子符号 端子说明 17 DOWN 通电锁定时输出端 14/23 SGND 信号地 20 OSC1 斩波频率设定电容连接端 18 PFD 衰减模式选择电压输入端 15 VREF 电流设定端 11 VMB B相 电机电源连接端 28 M1 细分设置端 2