预见2020：《中国第三代半导体产业全景图谱》（附市场规模、应用市场结构、投资布局等） 发展历程——2016 年为第三代半导体产业元年 第三代半导体指禁带宽度大于2.2eV 的半导体材料，也称为宽禁带半导体材料。半导体材料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体材料;第二阶段是以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为代表;而以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、等宽带半导体原料为主的第三代半导体材料，可以被广泛应用于消费电子、照明、新能源汽车、导弹、卫星等各个领域，且具备众多的优良性能，可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。 我国第三代半导体产业发展缘自2013 年科技部863 计划，计划将之列为战略发展产业。2016 年国务院国家新产业发展领导小组将其列为重点发展方向，除此之外，福建等27 个地区陆续推出近30 条第三代半导体产业相关政策，2016 年为第三代半导体产业元年。 2019 年，国家级战略《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》明确要求长江三角洲区域加快培育布局第三代半导体产业。2020 年，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025 年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。 对于第三代半导体的发展，国内高度重视。2019 年12 月，国家级战略《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》明确要求加快培育布局第三代半导体产业，推动制造业高质量发展。2020 年7 月，《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》指出国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。2020 年，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划。 产业链——各环节均有较多企业参与 第三代半导体材料主要以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为主。碳化硅(SiC)生产过程分为SiC单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是产业链衬底、外延、器件与模组三大环节。 GaN 产业链按环节分为Si 衬底(或GaN 单晶衬底、SiC、蓝宝石)、GaN 材料外延、器件设计、器件制造、封测以及应用。各个环节国内均有企业涉足，如在射频领域，SiC 衬底生产商有天科合达、山东天岳等，Ga...
