铁电存储器MB85RC64(8K×8) 1
概述 MB85RC64 了 FRAM(铁电随机存取记忆体)独立芯片配置了 8192×8 位,形成铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术非易失性内存中的细胞
MB85RC64 采用两线串行接口(与世界标准的 I2C 总线兼容)
与 SRAM 不同的MB85RC64 是无需使用数据备份电池,能够保留数据
MB85RC64 的读写次数 10 亿次,与 EPROM 和 FLASH 相比,有显著的改善
而且不在向写完存储器后,不需要查询序列
特性 位操作:8192×8 位 工作电压:2
3V 工作频率:400KHz 两串行总线:I2C 总线 2
1 标准版,支持标准模式和快速模式,由 SCL 和 SDA 控制
工作温度范围:-40℃—85℃ 数据保持:10年(55℃) 读写寿命:至少每位 10亿次 封装:Plastic / SOP, 8-pin (FPT-8P-M02) 低电压消耗:工作电流 0
15mA ,待机电流 5uA 3
管脚分配 3
管脚功能描述 管教编号 管脚名 功能描述 1—3 A0/A1/A2 器件地址 一个 I2C总线可以连接 8个和 MB85RC64 类似的器件
通过将 A0/A1/A2与 VDD和 VSS连接,确定每个器件的地址
如果 A0/A1/A2未连接,默认为 0
CPU通过 SDA线输出一个地址与器件进行匹配
4 VSS 数字地 5 SDA 数据 IO串口 这是双向通信的数据 IO口,用来读写铁电存储器的阵列数据,这是开漏极输出,可能是与其它漏极开路(或者集电极开路信号总线)进行线或运算,因此需要一个上拉电阻连接到外部电路
6 SCL 时钟串口 这是时钟输入口,时钟上升沿进行数据采样,下降沿进行数据输出
7 WP 写保护 WP是 H电平,禁止写入