第 1 页/ 共 8 页 下一页 >文本预览：模拟电子习题集一．选择题1．半导体中的空穴是(B)：A．半导体晶格中的缺陷B 电子脱离共价键后留下的空位C带正电的离子2．工作在放大状态的晶体管，流过集电结的主要是（B）A 扩散电流 B 漂移电流3．下列元、器件中有源器件是(C)：A 电阻器 B 电容器 C晶体管4．多级放大电路与单管放大电路相比，频带（B）A 变宽 B 变窄 C差不多5．差动输入信号与两个输入信号的（A）有关。A 差 B 和 C比值 D 平均值6．输出级的互补电路常用的接法是(B)：A 共射或共源B 共集或共漏C 共基或共栅7．具有下列情况的就一定是反馈放大电路(B)：A 输出与输入之间有信号通路B 电路中存在反向传输的信号通路C除放大电路以外还有信号通路8．为了抑制漂移， 集成运放的输入级一般是差动放大电路，因此对于由双极型三极管构成输入级的集成运放，两个输入端的外接电阻应（B）A 较大 B 对称 C较小9．在输入电压从足够低逐渐上升到足够高和从足够高下降到足够低两种不同变化过程中，（B）的输出电压随uI 变化的曲线是不同的。A 简单电压比较器B 滞回比较器C窗口比较器10．滤波可利用（C）实现A．二极管B 变频电路 C低通滤波电路D 高通滤波电路11．本征半导体温度升高后(C)A 自由电子数目增多，空穴数目基本不变B 空穴数目增多，自由电子数目基本不变C自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D 自由电子和空穴数目不变12．二极管的正向电阻（B），反向电阻（ A）A 大 B 小13． NPN 型和 PNP型晶体管的区别是（C）A 由两种不同材料硅和锗制成的B 渗入的杂质元素不同C P区和 N 区的位置不同14．某个处于放大状态的电路，当输入为10mV 时，输出电压为7V；输入电压为15mV 时，输出电压为。它的电压放大倍数为（C）A700 B100 C-10015．放大电路与单管放大电路相比，高频时附加相移（A）A 变大 B 变小 C基本不变16．差模放大倍数Ad 是（ B）之比，共模放大倍数Ac 是（ C）比。A 输出的变化量与输入变化量B 输出差模量与输入差模量C 输出共模量与输入共模量D 输出直流量与输入直流量17．复合管组成的电路可以(B)：A 展宽频带 B 提高电流放大系数C减小温漂18．所谓开环是指具有以下主要特点的电路(B)：A 无信号源 B 无反馈通路C无电源 D 无负载19．当集成运放处于（A）状态时，可运用（D）和（ E）概念。A． 线性放大 B 开环 C深负反馈D 虚短 E虚断20．功率放大...
