1. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应( ) 。 A. 带负电 B. 带正电 C. 不带电2.将 PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( ) 。 A. 变窄 B. 变宽 C. 不变3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( ) 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小4.电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV 时，输出电压最大值为10V 的电路是 ( C)。5.电路如图所示，D1，D2 均为理想二极管，设U1=10V， ui=40sinω tV, 则输出电压uO应为 ( D ) 。 A. 最大值为40V，最小值为0V B. 最大值为40V，最小值为+10V C. 最大值为10V，最小值为－40V D. 最大值为10V，最小值为0V 6. 稳压管的动态电阻rZ 是指 ( B) 。A. 稳定电压与相应电流IZ 之比 B. 稳压管端电压变化量UZ 与相应电流变化量IZ 的比值 C. 稳压管正向压降与相应正向电流的比值7.在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( B ) 。 A.PNP 管的集电极 B.PNP 管的发射极 C.NPN 管的发射极 D.NPN 管的基极8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V ， VB=-1.4V ， VC=5V，则该管类型为( A ) 。 A.NPN 型锗管 B.PNP 型锗管 C.NPN 型硅管 D.PNP 型硅管1.如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( ) 。 A. 反向 B. 近似等于零 C. 不变 D. 增大2.晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为( ) 。 A. 发射结反偏，集电结正偏 B. 发射结、集电结均反偏 C. 发射结、集电结均正偏 D. 发射结正偏、集电结反偏3.晶体管的电流放大系数是指 ( ) 。A. 工作在饱和区时的电流放大系数B. 工作在放大区时的电流放大系数 C. 工作在截止区时的电流放大系数4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe 等于 ( ) 。A. B. C.5.某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在( ) 。A. 截止状态 B. 放大状态 C. 饱和状态6.某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为( ) 。A.P 沟道耗尽型MOS管 B.N 沟道增强型MOS管 C.P 沟道增强型MOS管 D.N 沟道耗尽型MOS管7.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约为( ) 。 A.0V B.＋ 2V C. －2V D. － 1V 8.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm 约为 ( ) 。A.1mA./V B.0.5mA./V C.-1mA./V D....
