模拟电路基础 09年复习资料一、填空题1．在 P型半导体中，多数载流子是（空隙），而少数载流子是（自由电子）
2．在 N型半导体中，多数载流子是（电子），而少数载流子是（空隙）
3．当 PN结反向偏置时，电源的正极应接（N）区，电源的负极应接（P）区
4．当 PN结正向偏置时，电源的正极应接（P）区，电源的负极应接（N）区
5．为了保证三极管工作在放大区，应使发射结（正向）偏置，集电结（反向）偏置
6．根据理论分析， PN结的伏安特性为)1(TUUS eII, 其中SI被称为（反向饱和）电流，在室温下TU约等于（ 26mv ）
7．BJT 管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极） 、（栅极）和（源极）与之对应
8．在放大器中，为稳定输出电压，应采用（电压取样）负反馈，为稳定输出电流，应采用（ 电流取样）负反 馈
9．在负反 馈放大器中，为提高输入电阻，应采用（串联- 电压求和）负反 馈， 为降低输出电阻，应采用（电压取样）负反 馈
放大器 电路中引入 负反 馈主要是为了改善放大器（的电性能）
11．在 BJT放大电路的三种组态中， （共集电极）组态输入电阻最大，输出电阻最小
（共射）组态即有电压放大作用，又有电流放大作用
在 BJT 放大电路的三种组态中， （共集电极）组态的电压放大倍数小于1，（共基）组态的电流放大倍数小于1
13．差分放大电路的共模抑制比KCMR＝（CuAAlg20），通常希望差分放大电路的共模抑制比越（大）越好
14．从三极管内部制造工艺看， 主要有两大特点， 一是发射区（高掺杂），二是基区很 （薄 ）并掺杂浓度（低 ）
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后，它的差模放大倍数dA 将（不变），而共模放大倍数cA 将（减少），共模抑制比将（变大）
16．多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容 ），（变压器）和（
