模拟电路基础 09年复习资料一、填空题1.在 P型半导体中,多数载流子是(空隙),而少数载流子是(自由电子)。2.在 N型半导体中,多数载流子是(电子),而少数载流子是(空隙) 。3.当 PN结反向偏置时,电源的正极应接(N)区,电源的负极应接(P)区。4.当 PN结正向偏置时,电源的正极应接(P)区,电源的负极应接(N)区。5.为了保证三极管工作在放大区,应使发射结(正向)偏置,集电结(反向)偏置。6.根据理论分析, PN结的伏安特性为)1(TUUS eII, 其中SI被称为(反向饱和)电流,在室温下TU约等于( 26mv )。7.BJT 管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极(漏极) 、(栅极)和(源极)与之对应。8.在放大器中,为稳定输出电压,应采用(电压取样)负反馈,为稳定输出电流,应采用( 电流取样)负反 馈。9.在负反 馈放大器中,为提高输入电阻,应采用(串联- 电压求和)负反 馈, 为降低输出电阻,应采用(电压取样)负反 馈。10. 放大器 电路中引入 负反 馈主要是为了改善放大器(的电性能)。11.在 BJT放大电路的三种组态中, (共集电极)组态输入电阻最大,输出电阻最小。(共射)组态即有电压放大作用,又有电流放大作用。12. 在 BJT 放大电路的三种组态中, (共集电极)组态的电压放大倍数小于1,(共基)组态的电流放大倍数小于1。13.差分放大电路的共模抑制比KCMR=(CuAAlg20),通常希望差分放大电路的共模抑制比越(大)越好。14.从三极管内部制造工艺看, 主要有两大特点, 一是发射区(高掺杂),二是基区很 (薄 )并掺杂浓度(低 )。15.在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后,它的差模放大倍数dA 将(不变),而共模放大倍数cA 将(减少),共模抑制比将(变大)。16.多级级联放大器中常用的级间耦合方式有(阻容 ),(变压器)和(直接)耦合三种。17.直接耦合放大器的最突出的缺点是(零点漂移)。18,集成运放主要由 (输入级),(中间放大级),(输出级)和(偏置电路)4 部分组成。19.BJT三极管的直流偏置电路通常有(固定基流)电路和(分压式)电路两种。20.负反馈放大电路增益的一般表达式FAAAf1, 当11FA时,这种反馈称为(负反馈);当11FA时,这种反馈称为(正反馈)。21.集成运放两个输入端之间的电压通常接近0,即0uu,将这种现象称为(虚短路)。22.集成运放两个输入端的电流通常接近0,即0ii,将这种现象称为(虚开路) 。二.选...