电脑桌面
添加小米粒文库到电脑桌面
安装后可以在桌面快捷访问

MOSFET工作原理VIP免费

MOSFET工作原理_第1页
1/18
MOSFET工作原理_第2页
2/18
MOSFET工作原理_第3页
3/18
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体), FET (Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS 型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor--SIT)。其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N 沟道增强型。 2.1.功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS 管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS 管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET, (Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异,又分为利用V 型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS 结构的VDMOSFET ( Vertical Double-diffused MOSFET),本文主要以VDMOS器件为例进行讨论。 功率MOSFET为多元集成结构,如国际整流器公司(International Rectifier)的HEXFET采用了六边形单元;西门子公司(Siemens)的SIPMOSFET采用了正方形单元;摩托罗拉公司(Motorola)的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。 2.2.功率MOSFET的工作原理 截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN 结J1 反偏,漏源极之间无电流流过。 导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P 区中的空穴推开,而将P 区中的少子-电子吸引到栅极下面的P 区表面 当UGS 大于UT(开启电压或阈值电压)时,栅极下P 区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使P 型半导体反型成N 型而成为反型层,该反型层形成N 沟道而使PN 结J...

1、当您付费下载文档后,您只拥有了使用权限,并不意味着购买了版权,文档只能用于自身使用,不得用于其他商业用途(如 [转卖]进行直接盈利或[编辑后售卖]进行间接盈利)。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。
3、如文档内容存在违规,或者侵犯商业秘密、侵犯著作权等,请点击“违规举报”。

碎片内容

MOSFET工作原理

确认删除?
VIP
微信客服
  • 扫码咨询
会员Q群
  • 会员专属群点击这里加入QQ群
客服邮箱
回到顶部