MOS 管参数解释 MOS管介绍 在使用MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS 的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。 MOSFET 管是 FET 的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P 沟道或N 沟道共 4 种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS 管和增强型的PMOS 管，所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型 MOS 管，比较常用的是 NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。 在MOS 管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS 管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS 管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。 MOS 管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS 的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如 4V 或 10V, 其他电压，看手册）就可以了。 PMOS 的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接 V CC 时的情况(高端驱动)。但是，虽然 PMOS 可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用 NMOS。 MOS 开关管损失 不管是NMOS 还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS 间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS 管会减小导通损耗。现在的小功率MOS 管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右 MOS 在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS 两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段 时间内 ，MOS 管的损失是电压和电流的乘 积 ，叫做开关损失。通常开关损失比 导通损失大得多 ，而且 开关频 率越 快 ，导通瞬间电压和电流的乘积 很大，造成的损失也 就很大。降低开关时间，可以减小每 次 导通时的损失； 降低开关频 率，可以减小单 位 时间内 的开关次 数 。这两种办法都可以减小开关损失。 MOS 管驱动 MOS 管导通不需要电流，只要GS 电压高于一定的值，就可以了。但是，我们还需要速 度 。 在MOS 管的结 构 中可以看到，在GS，GD ...
