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晶体管温度传感器及电子温度计

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1 中国石油大学 智能仪器 实验报告 成 绩: 班级: 姓名: 同组者: 教师: 晶体管温度传感器及电子温度计 【实验目的】 1. 了解半导体晶体管的温度特性。 2. 了解晶体管温度传感器的结构、工作原理及响应特性。 3. 掌握晶体管温度传感器电压——温度特性的测量方法。 4. 了解电子温度计的电路结构和设计方法。 【实验原理】 1 . 半导体二极管及其特性 当用扩散的方法在 P 型半导体中掺入 N 型杂质或在 N 型半导体中掺入 P 型杂质时,扩散的结果使得两种材料的交界处空穴与电子达到动态平衡并形成PN 结。由于 PN 结具有单向导电性,因此可用来制作半导体二极管、稳压管、可控硅及三极管;其中半导体二极管和稳压管由一个 PN 结构成,半导体三极管和可控硅 图 1-1 二极管的结构及符号 由两个 PN 结构成。二极管的结构及符号见图 1-1,根据使用的半导体材料不同二极管分为锗(Ge)型和硅(Si)型,根据结构划分为点接触型(图 1-1(a))、面接触型(图 1-1(b))和硅平面型二极管(图 1-1(c));其中点接触型二极管由于结面积小、结电容小而适用于高频工作,常用于高频检波和用作高速开关,面接触型和硅平面型二极管由于结面积大而适用于低频大电流整流。二极管在正向电压作用下会使 PN 结变薄,从而形成正向电流,在反向电压作用下会使 PN 结变厚,无法形成反向电流,这就是二极管的单向导电性,二极管的正向特性见图 1-2。 2 从图1-2 中可以看到,二极管的正向特性曲线呈非线性,根据半导体理论可以得出二极管的正向电流为: )1(TgdVVVsdeII (1-1) 正向电压为: )ln(sdsgdIIIqkTVV (1-2) 式(1-1)、(1-2)中:gV ——禁带宽度 V/;qkTVT/; KJk/10381.123——波耳兹曼常数; Qq1910602.1——单位电荷; sI ——二极管反向饱和电流(与温度有关)A/; 由式(1-2)得,二极管的正向电压不但与电流有关,而且与环境温度有关,当二极管电流dI 一定时,二极管的电压dV 与温度成一定关系,在温度不太高的情况下,dV 与环境温度成正比, 即: TVVgd (1-3) 图1-2 二极管正向特性 这里, 是与二极管电流有关的系数,当二极管电流一定时, 为常数,因此  被称之为二极管的电压——温度系数或测温灵敏度,可表示为: TV (1-4)  表示环境温度变化C1所引起的二极管电压变化,单位为CmV /,通常在CC1...

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