晶体管特征频率的测量 一、 目的 1、通过实验进一步了解特征频率fT 的物理意义并掌握其测量方法。 2、通过实验了解 fT 随偏流、偏压的变化情况。 二、 原理 晶体管有高频管和低频管之分，一般来说低频管只能用在 3MC 以下的频率范围；而高频管则可以用到几十或者几百 MC 的高频范围，有时称超过 75MC 的管子为超高频晶体管。如果使用频率超过了晶体管的频率范围，则晶体管的放大特性就显著地变坏，甚至无法使用。晶体管放大特性的变坏，是由于讯号频率超过某一值以后，晶体管的电流放大系数开始下降而造成的。晶体管的共射极电流放大系数β与信号频率f间的关系为： βββffj+=10 （10-1） 式中β0 为低频是的电流放大系数，fβ为共射极的截止频率（也就是共射极电流放大系数β下降到21β0 或 0.707β0 的频率）。图 10-1 画出了晶体管发射极电流放大系数β随频率的变化曲线。由图可见，在频率比较低时，β基本不随频率变化，它的数值被定义为β0。当频率比较高时，β值随频率f升高而下降。如果讯号频率超过发射极截止频率fβ，晶体管的共射极β电流放大系数β就比低频时的β0 小的多。但是，fβ并不是晶体管所能使用的最高频率，因为fβ下的β值（即0.707β0）仍比 1 大的多，所以晶体管此时还是有电流放大作用的。晶体管的实际使用频率可以比 fβ高。 由 10-1 式可见，当频率远大于 fβ(比如 f>2fβ就可以认为 f>>fβ)，时有 f•β=f•β0=常数 (10-2) 因为 fT 是β等于 1 的f值，因此上式中的常数就是 fT。所以 β•f=fT (10-3) 比较确切地反映了晶体管的频率特性。当频率低于 fT 时，电流放大系数β>1，晶体管有电流放大作用；当f
