采用图腾柱方式驱动 MOSFET 的电路分析1、原理图Vcc上图为典型的图腾柱输出方式驱动 MOSFET 的电路。由于前端 I/O 口的对夕卜驱动能力（—般为十几或者二十几 mA）有限，为了提高对 MOSFET 的驱动能力，因此采用图腾柱电路。由于 MOSFET 是压控型器件，则 GS 两端电压只要大于 4.5V（导通时的阈值电压）时即可导通，为了使 MOSFET 可靠导通，则一般要求 GS 两端的电压要大于 12V（不同型号的管子该电压不同）,因此要求 MOSFET 的驱动电压幅值至少要大于 12V。此外，由于 MOSFET 的 GS 两端存在寄生电容，驱动 MOSFET 的过程就是对该电容充放电的过程，充电的快慢反应 MOSFET 导通或关断的速度，而开关的速度又影响了 MOSFET 的开关损耗及 EMI 等内容,同时,充电的快慢又由充电电流的大小决定。综上所述,要想驱动 MOSFET 正常导通和关断，则要考虑驱动幅值电压及对GS 两端电容充电电流的大小。因此，下面分别从驱动 MOSFET 的幅值电压及充电电流(驱动能力)的大小两个方面来分析该电路。而幅值电压及充电电流与图中的驱动方波的幅值、电源电压 J、电阻 R2 及电阻 R3 等有关。因此,以下主要通过改变这些参娄攵来验证电路设计的合理性。2、电路分析(1)驱动方波幅值为 15V、电源电压为 10V、电阻 R2=0R。电路如下图所示:图为仿真测试波形：从以上波形可知，在驱动波形为高电平(15V)时，Q1 完全饱和导通，其 ce间的压降为 0V，此时电源电压直接加在点 E 处，即 MOSFET 的驱动电压幅值为10V，而不是驱动波形的射极跟随电压 14.3V，这样存在的问题是，如果电源电压再小的话，则 MOSFET 的驱动电压幅值会更低。同时，在驱动波形刚变为高电平时，流过电阻 R3 有一个尖峰电流，该电流就是对 MOSFET 的 GS 端电容充电的电流波形，由于 C 电容很小，因此充电时间很短，充满后就不存在充电电流，因此该电流波形在很短的时间内为尖峰。(2)驱动方波幅值为 15V、电源电压为 15V、电阻 R2=0R。电路如下图所示:0充电波流过 R3 的驱动电流波JO放电波4W0'45@J（A）:33983^0取 0 寸歆3WE3-3^Ji刃飞山厂』」-BQ'E 点驱动电压波形-Q1 饱和导通时，其 E 极电压为Q1 的 ce 两端的电压波0图为仿真测试波形：从以上波形可知，在驱动波形为高电平（15V）时，Q1 完全饱和导通，其ce 间的压降为 0V，此时电源电压直接加在点 E 处，即 MOSFET 的驱动电压幅值为 15V，能满足 MOSFET 的驱动...
