BICMOS工艺常用器件BICMOS工艺即是将 Bipolar工艺与 CMOS工艺相结合的一种综合工艺,它具有双极工艺高跨导、强负载驱动能力和CMOS器件高集成度、低功耗的优点。一般 BICMOS工艺还可以分为两类:一是以CMOS工艺为基础的 BICMOS工艺,包括 P阱 BICMOS和 N阱 BICMOS两种工艺;另一类是以标准双极工艺为基础的BICMOS工艺,其中包括 P阱 BICMOS和双阱 BICMOS。影响 BICMOS器件性能的主要是双极部分,因此以双极工艺为基础的 BICMOS工艺用的较多。下面简要介绍以双极工艺为基础的双阱BICMOS工艺的器件结构。1、 MOS管如图(1)以双极工艺为基础的双阱 BICMOS工艺下的 MOS管结构:P沟器件做在 N阱中,N沟器件做在 P阱中。该工艺采用PN结对通隔离技术,有 N+及 P+双埋层结构,并采用薄外延层来实现器件的高截止频率和窄隔离宽度。其中 NMOS管的源漏与 NPN管的发射区和横向 PNP管及纵向 PNP管的基区接触扩散同时进行。PMOS管的源漏区扩散与 NPN的基区扩散,横向 PNP管的集电区、发射区扩散,纵向 PNP管的发射区扩散同时完成。MOS管的工作原理与 CMOS工艺下的管子一样。 图(1)2、 三极管(1)NPN管NPN晶体管是双极集成电路中的基本器件,如图(2)以 N外延层为集电区,Basep为基区,在 Basep中做一重掺杂的N+为发射区。由其剖面图可见,NPN存在寄生的 PNP,但是这个寄生的 PNP不是在任何情况下都起作用。在模拟电路中,由于 NPN管一般都处于截止或正向工作区,VBC-NPN<0,所以寄生 PNP的发射结是反偏的,因为 VBE-PNP= VBC-NPN<0,因而寄生 PNP管截止。而在数字电路中,NPN工作在饱和区或反向工作区,此时 VBE-PNP= VBC-NPN>0,寄生 PNP将处于正向工作区,这将使相当大的一股反向NPN管的“发射极电流”变成无用电流流入衬底。所以在数字电路中要注意减小寄生PNP效应。一般工艺上通过掺金工艺和埋层工艺来减小寄生 PNP正向运用时的共基极短路电流增益aSF。从而减小寄生 PNP管的影响,增加有用电流的比值。图(2) 在实际的双极工艺中,除了寄生三极管外,还有无源寄生效应如串联电阻、寄生电容等,这些都将不可避免的影响到的电路的性能,下面做简要介绍,以便将来在版图设计过程中适当减小这些寄生效应。作为 VNPN管存在三种寄生电阻:发射极串联电阻,集电极串联电阻,基区电阻。首先,发射区电阻由发射区体电阻和发射区接触电阻组成,一般发射区做成方形其宽长比相当小,所以电阻可忽略。接触电阻由发射...