N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）工艺流程： 半导体元件制造过程可分为 前段（Front End）制造过程: 1.晶圆处理制程（Wafer Fabrication；简称 Wafer Fab） 2.晶圆针测制程（Wafer Probe）； 后段（Back End）： 1.构装（Packaging）、 2.测试制程（Initial Test and Final Test） 而本次课程设计主要重点在于前段晶圆的处理制作过程，故N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）工艺流程，概括的说就是先场氧，后栅氧，再淀多晶si，最后有源区注入。 一．硅片的选取： 一般采用轻参杂的p型Si衬底，晶向<100>，ρ=30~50Ω.cm。 晶圆（晶片）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成 冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解 后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85 公分长，重76.6 公斤的 8 寸硅晶棒，约需 2 天半时间长成。经研磨、抛光、切片后，即成半导体之原料晶圆片 二. 初始氧化 1.SiO2 层厚度250 A： SiO2作用： a.杂质扩散掩蔽膜 b.器件表面保护或钝化膜 c. MOS 电容的介质材料 d. MOSFET 的绝缘栅材料 e.电路隔离介质或绝缘介质 SiO2制备： 实际生产—干氧-湿氧-干氧工艺。好处：既保证了 SiO2的质量，又提高了氧化速度。 2.氧化后淀积 Si3N4，Si3N4 厚度1400 A。 目的:选择性氧化的掩蔽膜。 LPCVD Si3N4薄膜工艺： ①反应剂： SiH2Cl2 + NH3 → Si3N4+H2+HCl ②温度：700-900 ℃； ③速率：与总压力（或 pSiH2Cl2)成正比； ④特点：密度高；不易被稀HF 腐蚀；化学配比好；保形覆盖； ⑤缺点：应力大； 三. 光刻 场区光刻，刻掉场区的 Si3N4，不去胶,阻挡离子注入。 1.涂光刻胶： 2.掩膜版 3.光刻： 4.刻蚀Si3N4： 5.去掉光刻胶： 四. 场区注硼 250 A 的SiO2 防止隧道效应 注硼是为了提高场区的表面浓度，以提高场开启 优点：工艺简单 问题：隔离区较宽，使IC 的有效面积减少，不利于提高集成度 隔离扩散引入了大的集电区-衬底和集电区-基区电容，不利于IC 速度的提高。 五. 场区氧化，8500 A 氧化层是热生长形成的，此时硼将继续推进，Si3N4 阻挡氧化。由于Si:SiO2=0.44:1（体积比），这种做法可以降低台阶高度，称为准等平面工艺 优点：1.可以减小表面的台阶高度；2.一次光刻完成的。 缺点...
