FinFET

Fin FET Fin FET 简 介 FinFET 称 为 鳍 式 场 效 晶 体 管 (FinField-EffectTransistor； FinFET)是 一 种 新的 互 补 式 金 氧 半 导 体 (CMOS)晶 体 管 。闸长已可小于 25 奈米。该项技术的 发明人是 加州大学伯克利分校的 胡正明教授。Fin 是 鱼鳍 的 意思，FinFET 命名根据晶 体 管 的 形状与鱼鳍 的 相似性。 发 明 人 该项技术的 发明人是 加州大学伯克利分校的 胡正明（ChenmingHu）教授[1]。胡正明教授 1968 年在台湾国立大学获电子工程学士学位，1970 年和 1973 年在伯克利大学获得电子工程与计算机科学硕士和博士学位。现为 美国工程院院士。2000 年凭借 FinFET 获得美国国防部高级研究项目局最杰出技术成就奖（DARPAMostOutstandingTechnicalAccomplishmentAward）。他研究的BSIM 模型已成为 晶 体 管 模型的 唯一 国际标准，培养了 100 多名学生，许多学生已经成为 这个领域的 大牛，曾获 Berkeley 的 最高教学奖； 于 2001~2004 年担任台积电的 CTO。 英 特 尔 公 布 的 FinFET 的 电 子 显 微 镜 照 片 工 作原理 FinFET 闸 长 已 可 小 于 25 纳 米 ， 未 来 预 期 可 以 进 一 步 缩 小 至 9 纳 米 ， 约 是人 类 头 发 宽 度 的 1 万 分 之 1。由于 在这种导体技术上的 突破， 未 来 芯片 设计人员可 望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小 。FinFET 源自于 传统标准的 晶体管—场效晶体管(Field-EffectTransistor；FET)的 一 项创新设计。在传统晶体管结构中， 控制电 流通过的 闸 门， 只能在闸 门的 一 侧控制电 路的 接通与断开，属于 平面的 架构。在 FinFET 的 架构中， 闸 门成类 似鱼鳍的 叉状 3D 架构， 可 于电 路的 两侧控制电 路的 接通与断开。这种设计可 以 大幅改善电 路控制并减少漏电 流(leakage)， 也可 以 大幅缩 短晶体管的 闸 长 。[2] 发展状态 在 2011 年初， 英 特 尔 公 司推出了商业化的 FinFET， 使用在其 22 纳 米 节点的 工艺上[3]。从 IntelCorei7-3770 之 后的 22 纳 米 的 处理器均使用了 FinFET技术。由于 FinFET 具有功耗低， 面积小 的 优点， 台湾积体电 路制造股份有限公 司（TSMC）等主要半导体代工已 经开始计划推出自己的 FinFET 晶体管[4]...