一种 IGBT 驱动电路的设计 IGBT 的 概 念 是 20 世 纪 80 年 代 初 期 提 出 的 。 IGBT 具 有 复 杂 的 集 成 结 构 ， 它 的 工 作 频 率 可 以 远 高 于 双 极 晶 体 管 。IGBT 已 经 成 为 功 率 半 导 体 器 件 的 主 流 。 在 10～ 100 kHz 的 中 高 压 大 电 流 的 范 围 内 得 到 广 泛 应 用 。 IGBT 进 一 步 简 化 了功 率 器 件 的 驱 动 电 路 和 减 小 驱 动 功 率 。 1 IGBT 的 工 作 特 性 。 IGBT 的 开 通 和 关 断 是 由 栅 极 电 压 来 控 制 的 。 当 栅 极 施 以 正 电 压 时 ， MOSFET 内 形 成 沟 道 ， 并 为 PNP 晶 体 管 提 供 基 极 电 流 ， 从 而 使 IGBT 导 通 。 此 时 从 N+区 注入 到 N-区 的 空 穴 （ 少 子 ） 对 N-区 进 行 电 导 调 制 ， 减 小 Ⅳ区 的 电 阻 Rdr ， 使 阻断 电 压 高 的 IGBT 也具 有 低的 通 态压 降。 当栅 极 上施 以 负电 压 时 。 MOSFET 内 的 沟 道 消失， PNP 晶 体 管 的 基 极 电 流 被切断 ， IGBT 即被关 断 。 在 IGBT 导 通 之后。 若将栅 极 电 压 突然降至 零 ， 则 沟 道 消失， 通 过 沟 道 的 电 子 电 流 为 零 ， 使 集 电 极 电 流 有 所 下 降，但 由 于 N-区 中 注 入 了 大 量 的 电 子 和 空 穴 对 ， 因 而 集 电 极 电 流 不 会 马 上为 零 ， 而 出 现 一 个 拖 尾 时 间 。 2 驱动电路的 设计 2.1 IGBT 器件型号选择 1） IGBT 承 受 的 正 反 向 峰 值 电 压 考 虑 到 2-2.5 倍 的 安 全 系 数 ， 可 选 IGBT 的 电 压 为 1 200 V。 2） IGBT 导 通 时 承 受 的 峰 值 电 流 。 额 定 电 流 按380 V供 电 电 压 、 额 定 功 率 30 kVA 容 量 算 。选 用 的 IGBT型 号 为 SEMIKRON公 司 的 SKM400GA128D。 2.2 IGBT 驱动电路的 设计要求 对 于 大 功 率 IGBT， 选 择 驱 动 电 路 基 于 以 下 的 参 数 要 求 ： 器 件 关 断 偏 置 、 门 极 电 荷 、 耐 固 性 和 电 源 情 ...
