一种 IGBT 驱动电路的设计 IGBT 的 概 念 是 20 世 纪 80 年 代 初 期 提 出 的
IGBT 具 有 复 杂 的 集 成 结 构 ， 它 的 工 作 频 率 可 以 远 高 于 双 极 晶 体 管
IGBT 已 经 成 为 功 率 半 导 体 器 件 的 主 流
在 10～ 100 kHz 的 中 高 压 大 电 流 的 范 围 内 得 到 广 泛 应 用
IGBT 进 一 步 简 化 了功 率 器 件 的 驱 动 电 路 和 减 小 驱 动 功 率
1 IGBT 的 工 作 特 性
IGBT 的 开 通 和 关 断 是 由 栅 极 电 压 来 控 制 的
当 栅 极 施 以 正 电 压 时 ， MOSFET 内 形 成 沟 道 ， 并 为 PNP 晶 体 管 提 供 基 极 电 流 ， 从 而 使 IGBT 导 通
此 时 从 N+区 注入 到 N-区 的 空 穴 （ 少 子 ） 对 N-区 进 行 电 导 调 制 ， 减 小 Ⅳ区 的 电 阻 Rdr ， 使 阻断 电 压 高 的 IGBT 也具 有 低的 通 态压 降
当栅 极 上施 以 负电 压 时
MOSFET 内 的 沟 道 消失， PNP 晶 体 管 的 基 极 电 流 被切断 ， IGBT 即被关 断
在 IGBT 导 通 之后
若将栅 极 电 压 突然降至 零 ， 则 沟 道 消失， 通 过 沟 道 的 电 子 电 流 为 零 ， 使 集 电 极 电 流 有 所 下 降，但 由 于 N-区 中 注 入 了 大 量 的 电 子 和 空 穴 对 ， 因 而 集 电 极 电 流 不 会 马 上为 零 ， 而 出 现 一 个 拖 尾 时 间
2 驱动电路的 设计 2
1 IGBT 器件型号选择 1） IGBT 承 受 的 正 反 向 峰 值 电 压
