请问怎么确定IR2110 能驱动多大的MOS 管啊？手册上 IR2110 的输出电压是 10-20V ，电流是 2A，MOS 管是电压驱动型，要 2A 的电流有什么用啊？ 随着PWM 技术在变频、逆变频等领域的运用越来越广泛，以及IGBT、PowerMOSFET 等功率性开关器件的快速发展，使得 PWM 控制的高压大功率电源向着小型化、高频化、智能化、高效率方向发展。 本文采用电压脉宽型 PWM 控制芯片 SG3525A，以及高压悬浮驱动器 IR2110，用功率开关器件 IGBT 模块方案实现高频逆变电源。另外，用单片机控制技术对此电源进行控制，使整个系统结构简单，并实现了系统的数字智能化。 SG3525A 性能和结构 SG3525A 是电压型 PWM 集成控制器，外接元器件少，性能好，包括开关稳压所需的全部控制电路。其主要特性包括：外同步、软启动功能；死区调节、欠压锁定功能；误差放大以及关闭输出驱动 信号等功 能；输出级采用推挽式电路结构，关断速度快，输出电流 ±400mA；可提供精密度为 5V±1%的基准电压；开关频率范围 100Hz~400KHz。其内部结构主要包括基准电压源、欠压锁定电路、锯齿波振荡器、误差放大器等，如图 1 所示。 IR2110 性能和结构 IR2110 是美国 IR 公司生产的高压、高速 PMOSFET 和 IGBT 的理想驱动器。该芯片采用 HVIC 和闩锁抗干扰制造工艺，集成 DIP、SOIC 封装。其主要特性包括：悬浮通道电源采用自举电路，其电压最高可达 500V；功率器件栅极驱动电压范围 10V~20V；输出电流峰值为 2A; 逻辑电源范围 5V~20V，而且逻辑电源地和功率地之间允许+5V 的偏移量；带有下拉电阻的 COMS 施密特输入端，可以方便地与 LSTTL 和CMOS 电平匹配；独立的低端和高端输入通道，具有欠电压同时锁定两通道功能 ; 两通道的匹配延时为10ns；开关通断延时小，分别为120ns 和90ns;工作频率达500kHz。其内部结构主要包括逻辑输入，电平转换及输出保护等，如图2 所示。 设计原理 高压侧悬浮驱动的自举原理 IR2110 用于驱动半桥的电路如图3 所示。图中C1、VD1 分别为自举电容和二极管，C2 为VCC 的滤波电容。假定在 S1 关断期间，C1 已充到足够的电压VC1≈VCC。当 HIN 为高电平时，VM1 开通，VM2关断，VC1 加到 S1 的门极和发射极之间，C1 通过 VM1、Rg1 和S1 门极栅极电容 Cgc1 放电，Cgc1 被充电。此时VC1 可等效为一个电压源。当 HIN 为低电平时，VM2 开通，VM1 断开，S1 栅极电荷经 Rg1、VM2...
