ito靶材的制备

ITO 靶材 ITO 靶材简介 ITO 靶材是三氧化二铟和二氧化锡的混合物，是 ITO 薄膜制备的重要原料。ITO 靶主要用于 ITO 膜透明导电玻璃的制作，后者是制造平面液晶显示的主要材料，在电子工业、信息产业方面有着广阔而重要的应用。ITO 靶的理论密度为 7115g/ cm3。优质的成品 IT O 靶应具有 ≥99%的相对密度。这样的靶材具有较低电阻率、 较高导热率及较高的机械强度。高密度靶可以在温度较低条件下在玻璃基片上溅射，获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜，甚至可以在有机材料上溅射 ITO 导电膜。目前质量最好的 ITO 溅射靶 ，具有≥99%相对密度。 靶材制备技术 日本新金属学会在二十世纪九十年代初期就把 ITO 靶材列为高科技金属材料的第一位。我国在“九五”期间也曾将它作为国家“九五”攻关重点项目进行立项研究，尝试了热压、烧结以及热等静压几种制备方法，但是未能形成大规模的工业化生产。国外生产的 ITO 靶材早已投放市场，主要产家有德国Leybold（莱博德）公司、日本 Tosoh（东曹）公司、日本 Energy（能源公司） 、日本 SamITO（住友）公司以及韩国Samsung（三星）公司。国内生产靶材的公司主要有：株洲冶炼集团有限责任公司、宁夏九 0 五集团、威海市蓝狐特种材料开发有限公司、韶关西格玛技术有限公司和柳州华锡有限责任公司等。 ITO 靶材的制造技术 高性能的 ITO 靶材必须具备以下的性能：高密度，ITO 靶材的理论密度为7.15g/cm3，商业产品相对密度至少要达 98%以上，目前高端用途的产品密度在99。5%左右；高耐热冲击性；组织均一无偏析现象；微细均匀的晶粒大小；纯度达到 99。99%。 目前 ITO 靶材的生产工艺和技术设备已较为成熟和稳定，其主要制备方法有热等静压法、真空热压法、常温烧结法、冷等静压法。 真空热压法 真空热压是利用热能与机械能将材料陶瓷致密化的工艺，可制备出密度达91%~ 96%的高密度 ITO 陶瓷靶。热压法的工艺流程是利用加热加工模具后，注入试料，以压力将模型固定于加热板，控制试料之熔融温度及时间，以达融化后硬化、冷却，再予以取出模型成品即可。热压法是加压成型和加热烧结同时进行的工艺，此工艺的优点是：(1)热压时，因为粉末处于热塑性状态，形变阻力小，易于塑性流动和致密化，所以所需的成型压力较小。(2)由于同时加温、加压，有助于粉末颗粒的接触、扩散和流动等传质过程，降低了烧结温度和缩短烧结时间，抑制了晶粒的长大。(3)热压法容易获...