一：光耦参数解释 1、正向工作电压fV （forw ard voltage）：fV 是指在给定的工作电流下，LED 本身的压降。常见的小功率 LED 通常以fI =10mA 来测试正向工作电压，当然不同的 LED，测试条件和测试结果也会不一样。 2、正向电流fI ：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。 3、反向工作电压rV （reverse voltage）：是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏 LED。而一般光耦中，这个参数只有 5V 左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要特别注意不要超过反向电压。如，在使用交流脉冲驱动 LED时，需要增加保护电路。 4、反向电流rI ：在被测管两端加规定反向工作电压rV 时，二极管中流过的电流。 5、反向击穿电压brV ：：被测管通过的反向电流rI 为规定值时，在两极间所产生的电压降。 6、结电容jC ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。 7、电流传输比 CTR(current transfer ratio )：指在直流工作条件下，光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的 CTR 类似于三极管的电流放大倍数，是光耦的一个极为重要的参数，它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值，这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态，其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理，可能导致电路不能工作在预想的工作状态。 8、集电极电流cI （collector cu rrent）：如上图，光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。 9、输出饱和压降 VCE(sat)：发光二极管工作电流 IF 和集电极电流 IC 为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin 时（CTRmin 在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。 10、反向击穿电压ceo）（BRV：发光二极管开路，集电极电流cI 为规定值，集电极与发射集间的电压降。 11、反向截止电流ceoI：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。 12、C-E 饱和电压ceV （C-E satu ration v oltage）：光敏三极管的集电极-发射极饱和压降。 13、入出间隔离电容ioC：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。 14、入出间隔离电阻ioR：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。 15、入出间隔离电压ioV ：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值 16、传输延迟时间PHLT、PLHT：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规...
