一.填空题 1. 能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________,引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用
(二阶导数,内部势场) 2. 半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________(即量子态按能量如何分布)和 _________(即电子在不同能量的量子态上如何分布)
(状态密度,费米分布函数) 3. 两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电,达到热平衡后两者的费米能级________
(正,相等) 4. 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央,其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约 0
85 倍处,因此属于_________半导体
([100], 间接带隙) 5. 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________;形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________
(弗仑克耳缺陷,肖特基缺陷) 6. 在一定温度下,与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________,高于费米能级 2k T 能级处的占据概率为_________
(1/2,1/1+ex p (2)) 7. 从能带角度来看,锗、硅属于_________半导体,而砷化稼属于_________半导体,后者有利于光子的吸收和发射
(间接带隙,直接带隙) 8. 通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统,服从_________的电子系统称为简并性系统
(玻尔兹曼分布,费米分布) 9
对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关,而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小
(温度,禁带宽度) 10
半导体的晶格结构式多种多样的,常见的 Ge 和 Si 材料,其原子均通过共价键四面体相互结合,属于________结构;与Ge 和