模拟电子技术基础期末试题(填空选择复习题)

填 空 题 1． 在 常 温 下 ， 硅 二 极 管 的 门 槛 电 压 约 为 0.5V， 导 通 后 在 较 大 电 流 下的 正 向 压 降 约 为 0.7V； 锗 二 极 管 的 门 槛 电 压 约 为 _0.1_V， 导 通 后 在较 大 电 流 下 的 正 向 压 降 约 为 _0.2_V。 2、 二 极 管 的 正 向 电 阻 小 ； 反 向 电 阻 大 。 3、二 极 管 的 最 主 要 特 性 是 单 向 导 电 性 。Ｐ Ｎ 结 外 加 正 向 电 压 时 ，扩 散 电 流 大 于 漂 移 电 流 ， 耗 尽 层 变 窄 。 4、 二 极 管 最 主 要 的 电 特 性 是 单 向 导 电 性 ， 稳 压 二 极 管 在 使 用时 ， 稳 压 二 极 管 与 负 载 并 联 ， 稳 压 二 极 管 与 输 入 电 源 之 间 必 须 加 入 一个 电 阻 。 5、 电 子 技 术 分 为 模 拟 电 子 技 术 和 数 字 电 子 技 术 两 大 部 分 ， 其 中 研 究在 平 滑 、 连 续 变 化 的 电 压 或 电 流 信 号 下 工 作 的 电 子 电 路 及 其 技 术 ， 称为 模 拟 电 子 技 术 。 6、 PN 结 反 向 偏 置 时 ， PN 结 的 内 电 场 增 强 。 PN 具 有 具 有单 向 导 电 特 性 。 7、 硅 二 极 管 导 通 后 ， 其 管 压 降 是 恒 定 的 ， 且 不 随 电 流 而 改 变 ， 典 型值 为 0.7 伏 ； 其 门 坎 电 压 Vth约 为 0.5 伏 。 8、 二 极 管 正 向 偏 置 时 ， 其 正 向 导 通 电 流 由 多 数 载 流 子 的 扩 散 运 动 形成。 9、P 型 半导 体的 多 子 为 空 穴 、N 型 半导 体的 多 子 为 自由 电 子 、本征半导 体的 载 流 子 为 电 子 —空 穴对 。 10、因掺入 杂质性 质不 同，杂质半导 体可为 空 穴（P） 半导 体和 电子 （N） 半导 体两 大 类。 11、 二 极 管 的 最 主 要 特 性 是 单 向 导 电 性 ， 它的 两 个 主 要 参数 是 反映正 向 特 性 的 最 大 整流 电 流 和 反 映反 向 特 性 的 反 向 击穿电压 。 12、 在 常 温 下 ， 硅 二 极 管 的 开启电 压 约 为 0.5 V， 导 通 后 在...