模拟电子技术综合复习题

1 《模拟电子技术》复习题综合（第1、 2章） 一、 选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 5、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 6、空间电荷区是由 C 构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 7、 PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 C 。 A. ISeU B. TUUI eS C. )1e(S－TUUI D. IS 9、稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 10、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 12、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 13、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。 A.IB B.IC C.UBE D.UCE 16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。 [基极电位总是处于中间] A.NPN硅管 B.PNP硅管 C.NPN锗管 D.PNP锗管 17、 增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ， 耗尽型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。 ① 6V ② 0V ③ 5.7V 图1 ① 3V ② 9V ③ 2.3V 图2 2 A.只能为正 B.只能为负 C.可正可负 D.可正可负，也可为零 18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。...