1 《 模 拟 电 子 技 术 》 复 习 题 综 合 （ 半 导 体 基 础 知 识 、 单 管 共 射 放 大 电 路 ） 一 .选 择 题 1、 在 本 征 半 导 体 中 掺 入 微 量 的 D 价 元 素 ， 形 成 N 型 半 导 体 。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、 在 P 型 半 导 体 中 ， 自 由 电 子 浓 度 C 空 穴 浓 度 。 A.大 于 B.等 于 C.小 于 3、 本 征 半 导 体 温 度 升 高 以 后 ， C 。 A.自 由 电 子 增 多 ， 空 穴 数 基 本 不 变 B.空 穴 数 增 多 ， 自 由 电 子 数 基 本 不 变 C.自 由 电 子 数 和 空 穴 数 都 增 多 ， 且 数 目 相 同 D.自 由 电 子 数 和 空 穴 数 都 不 变 4、 空 间 电 荷 区 是 由 C 构 成 的 。 A.电 子 B.空 穴 C.离 子 D.分 子 5、 PN 结 加 正 向 电 压 时 ， 空 间 电 荷 区 将 A 。 A. 变 窄 B. 基 本 不 变 C. 变 宽 D. 无 法 确 定 6、 稳 压 管 的 稳 压 区 是 其 工 作 在 C 。 A. 正 向 导 通 B.反 向 截 止 C.反 向 击 穿 7、 当 晶 体 管 工 作 在 放 大 区 时 ， 发 射 结 电 压 和 集 电 结 电 压 应 为 B 。 A. 前 者 反 偏 、 后 者 也 反 偏 B. 前 者 正 偏 、 后 者 反 偏 C. 前 者 正 偏 、 后 者 也 正 偏 D. 前 者 反 偏 、 后 者 正 偏 8、 当 温 度 升 高 时 ， 二 极 管 的 反 向 饱 和 电 流 将 A 。 A. 增 大 B. 不 变 C. 减 小 D. 都 有 可 能 9、 工 作 在 放 大 区 的 某 三 极 管 ， 如 果当 IB从12μA 增 大 到22μA 时 ， IC从1mA 变 为 2mA， 那么它的 β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、 晶 体 管 是 A 器件。 A.电 流 控制电 流 B.电 流 控制电 压 C.电 压 控制电 压 D.电 压 控制电 流 11、 在 正 常放 大 的 电 路 中 ， 测得晶 体 管 三 个电 极 的 对地电 位如 图所示， 试判断管 子 的 类型和 材料。 图1 为 D ；图2 为 A 。 [基 极 电 位总是 处于 中 间 ] A.NPN 硅 管 B.PNP 硅 管 C.NPN 锗...
