电力电子技术期末复习要点

电力电子技术期末复习题 一、辨析题要点： 1、由交流到直流的电力变换称为整流，由直流到直流的电力变换称为直流斩波，由交流到交流的电力变换称为交交变频或交流电力控制，由直流到交流的电力变换称为逆变。 2、电力电子器件目前专指电力半导体器件，一般都工作在开关状态。 3、按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类：半控型器件、全控型器件、不可控器件。 4、半控型器件—通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。器件的关断由其在主电路中承受的电压和电流决定，如晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件。 5、全控型器件—通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。如： 绝缘栅双极晶体管（IGBT—— Insulated-Gate Bipolar Transistor） 电力场效应晶体管（Power MOSFET） 门极可关断晶闸管（GTO，Gate Turn-Off） 电力晶体管（GTR，Giant Transistor） 12、 不可控器件不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。 如：电力二极管（Power Diode），只有两个端子，器件的通和断是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。 13、 按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为两类： 1）电流驱动型→通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。如：门极可关断晶闸管（GTO，Gate Turn-Off）和电力晶体管（GTR，Giant Transistor） 2）电压驱动型→仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。如：绝缘栅双极晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor——IGBT） 电力场效应晶体管（Power MOSFET） 14、 电力二极管是以半导体PN 结为基础，主要特性为不可控的单向导电性。目前常用的电力二极管有普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管三类。 15、 晶闸管的外形有螺栓型和平板型两种封装，并在上面引出阳极 A、阴极 K 和门极（控制端）G 三个联接端。内部是 PNPN 四层半导体机构。 16、 只有门极触发（包括光触发）是最精确、迅速而可靠的控制手段。 17、 一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压 2~3 倍。 18、 使用晶闸管时应按实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取晶闸管，并留一定的裕量，一般取1.5~2 倍。 19、 使晶闸管维持导通所必需的最小电流叫维持电流 IH，晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流叫擎住电流 IL。通...