光电探测技术实 验 报 告班 级：10050341学 号：05 姓 名：解娴实验一 光敏电阻特性实验一、实验目的1
了解一些常见的光敏电阻的器件的类型； 2
了解光敏电阻的基本特性； 3
测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流,并作出 V/A 曲线
二、实验原理 伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别
这种差别是当增加电压时,光敏电阻的光电流没有饱和现象,因此,它的灵敏度正比于外加电压
光敏电阻与外光电效应光电元件不同,具有非线性的光照特性
各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的
大多数场合证明,各种光敏电阻均存在着分析关系
这一关系为式中,K 为比例系数； 是永远小于 1 的分数
光电流 的增长落后于光通量的增长,即当光通量增加时,光敏电阻的积分灵敏度下降
这样的光照特性,使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻
光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的
目前已有就像真空光电管—样,它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样
光敏电阻的积分灵敏度非常大,最近讨论出的硒—鎘光敏电阻达到 12A／lm,这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高 120,000 倍
三、实验步骤1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流根据图 1 接线,电源可从+2V～+8V 间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压 V 暗和 V 亮
则暗电流 L 暗=V 暗/RL,亮电流 L 亮=V 亮/RL,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高
2、伏安特性 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性
根据图 1接线,分别测得偏压为 2V、4V、6V、8V、10V 时的光电流,并尝试高照度光源的光强,测得给定偏压时间强度的提高与光电流增大的情况
将所测得的结果填入表格并做出 V/I 曲线
图 1 光敏电阻的测量电路偏压2V4V6
